BYG22D-M3/TR Цэнаўтварэнне (USD) [484065шт шт]
- 1 pcs$0.07641
- 9,000 pcs$0.06925
- Частка нумар:
- BYG22D-M3/TR
- Вытворца:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Падрабязнае апісанне:
- DIODE AVALANCHE 200V 2A DO214AC. Rectifiers 2A,200V,25nS UF Fast Avalanche,SMD
- Manufacturer's standard lead time:
- У наяўнасці
- Тэрмін прыдатнасці:
- Адзін год
- Фішка ад:
- Ганконг
- RoHS:
- Спосаб аплаты:
-
- Адгрузка спосабам:
- Катэгорыі сям'і:
- KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - біпалярныя (BJT) - аднамесныя, з пап, Транзістары - FET, MOSFET - адзінкавыя, Транзістары - IGBT - Модулі, Тырыстары - DIAC, SIDAC, Транзістары - БНТ, МОФФЕТ - РФ, Дыёды - выпрамнікі - масівы, Дыёды - выпрамнікі - адзіночныя and Транзістары - IGBT - адзінкавыя ...
- Канкурэнтная перавага:
- Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Vishay Semiconductor Diodes Division BYG22D-M3/TR. BYG22D-M3/TR можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
BYG22D-M3/TR Атрыбуты прадукту
Частка нумар :
BYG22D-M3/TR
Вытворца :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Апісанне :
DIODE AVALANCHE 200V 2A DO214AC
Серыя :
Automotive, AEC-Q101
Статус часткі :
Active
Дыёдны тып :
Avalanche
Напружанне - рэверс пастаяннага току (Vr) (макс.) :
200V
Ток - Сярэдняя выпраўленасць (Io) :
2A
Напруга - наперад (Vf) (макс.) @ Калі :
1.1V @ 2A
Хуткасць :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Рэверсны час аднаўлення (TRR) :
25ns
Ток - Зваротная ўцечка @ Vr :
1µA @ 200V
Ёмістасць @ Vr, F :
-
Тып мантажу :
Surface Mount
Пакет / футляр :
DO-214AC, SMA
Пакет прылад пастаўшчыка :
DO-214AC (SMA)
Працоўная тэмпература - развязка :
-55°C ~ 150°C
Апошнія навіны
Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
-
VS-6EWL06FN-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 6A TO252AA. Rectifiers 6A 600V 59ns Ultrafast
-
BAV17-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 20V 250MA DO35. Diodes - General Purpose, Power, Switching 25 Volt 625mA
-
BAS34-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 60V 200MA DO35. Diodes - General Purpose, Power, Switching 70 Volt 200mA 2.0 Amp IFSM
-
BAT43-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 30V 200MA DO35. Schottky Diodes & Rectifiers 30 Volt 200mA 4.0 Amp IFSM
-
BAV18-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 50V 250MA DO35. Diodes - General Purpose, Power, Switching 60 Volt 625mA
-
BAT42-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 30V 200MA DO35. Schottky Diodes & Rectifiers 30 Volt 200mA 4.0 Amp IFSM
Гарачыя часткі
- IDD12SG60CXTMA2
- S1MFL RVG
- RGP10J-5025M3/73
- JAN1N1190
- R4260F
- R9G22011ASOO
- MURS120HE3/52T
- IDW12G65C5FKSA1
- SB040-E3/54
- NSRM30CM3T5G
- AR3PJHM3/86A
- VS-60CPF02PBF
- VS-150SQ035
- RGP02-14E-M3/73
- RS1GHE3/5AT
- RGP5020HE3/54
- SB160A-E3/73
- GP15KHE3/73
- 1N4937L-T
- MR7510-BP
- JAN1N6629US
- STTH40P03SFP
- BAS29_D87Z
- D4015L
- VS-12TQ040PBF
- SS16T3
- MBRB745
- RS3G-13
- 20ETS12S
- 1PS59SB20,115
- MBRM120ET1H
- ER1D-TP
- 1N4935-TP
- MUR110-AP
- STPS2H100UF
- RU 2V1
- SK56C M6G
- ESH2CHE3_A/I
- BA159GPE-E3/73
- LL4448-GS08