Калі ваша месцазнаходжанне няма ў спісе, выберыце адно з наступных:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Калі ваша месцазнаходжанне няма ў спісе, выберыце адно з наступных:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Дадому
  2. Прадукты
  3. Дыскрэтныя паўправадніковыя вырабы
  4. Дыёды - выпрамнікі - масівы
  5. MSRT20060(A)D

GeneSiC Semiconductor - MSRT20060(A)D

KEY Part #: K6468549

MSRT20060(A)D Цэнаўтварэнне (USD) [1194шт шт]

  • 1 pcs$36.26045
  • 25 pcs$25.86845
Частка нумар:
MSRT20060(A)D
Вытворца:
GeneSiC Semiconductor
Падрабязнае апісанне:
DIODE GEN PURP 600V 200A 3 TOWER. Rectifiers 600V 200A Forward
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, загадзя п, Транзістары - біпалярныя (BJT) - аднамесныя, з пап, Дыёды - пераменная ёмістасць (Varicaps, Varactors), Тырыстары - TRIAC, Модулі драйвераў харчавання, Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, Транзістары - JFET and Транзістары - БНТ, MOSFET - Масівы ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах GeneSiC Semiconductor MSRT20060(A)D. MSRT20060(A)D можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

MSRT20060(A)D Атрыбуты прадукту

Частка нумар : MSRT20060(A)D
Вытворца : GeneSiC Semiconductor
Апісанне : DIODE GEN PURP 600V 200A 3 TOWER
Серыя : -
Статус часткі : Active
Канфігурацыя дыёда : 1 Pair Series Connection
Дыёдны тып : Standard
Напружанне - рэверс пастаяннага току (Vr) (макс.) : 600V
Ток - Сярэдняя выпраўленасць (Io) (на дыёд) : 200A
Напруга - наперад (Vf) (макс.) @ Калі : 1.1V @ 200A
Хуткасць : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Рэверсны час аднаўлення (TRR) : -
Ток - Зваротная ўцечка @ Vr : 10µA @ 600V
Працоўная тэмпература - развязка : -55°C ~ 150°C
Тып мантажу : Chassis Mount
Пакет / футляр : Three Tower
Пакет прылад пастаўшчыка : Three Tower
Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • LQA10N150C

    Power Integrations

    DIODE CC 150V 5A DUAL TO252. Rectifiers 150V, Dual, 5A Ultra-Low Qrr Rect

  • MMBD1405A

    ON Semiconductor

    DIODE ARRAY GP 175V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching High Voltage General Purpose

  • BAS4005E6433HTMA1

    Infineon Technologies

    DIODE ARRAY SCHOTTKY 40V SOT23.

  • BAS7006E6433HTMA1

    Infineon Technologies

    DIODE ARRAY SCHOTTKY 70V SOT23.

  • BAT240AE6433HTMA1

    Infineon Technologies

    DIODE ARRAY SCHOTTKY 240V SOT23.

  • BAS4006E6433HTMA1

    Infineon Technologies

    DIODE ARRAY SCHOTTKY 40V SOT23.

Гарачыя часткі