Частка нумар :
TJ50S06M3L(T6L1,NQ
Вытворца :
Toshiba Semiconductor and Storage
Апісанне :
MOSFET P-CH 60V 50A DPAK-3
Тэхналогіі :
MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) :
60V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C :
50A (Ta)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) :
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
13.8 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id :
3V @ 1mA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs :
124nC @ 10V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds :
6290pF @ 10V
Рассейванне магутнасці (макс.) :
90W (Tc)
Працоўная тэмпература :
175°C (TJ)
Тып мантажу :
Surface Mount
Пакет прылад пастаўшчыка :
DPAK+
Пакет / футляр :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63