Diodes Incorporated - DMP3056LSDQ-13

KEY Part #: K6522971

DMP3056LSDQ-13 Цэнаўтварэнне (USD) [231556шт шт]

  • 1 pcs$0.15973

Частка нумар:
DMP3056LSDQ-13
Вытворца:
Diodes Incorporated
Падрабязнае апісанне:
MOSFETDUAL P-CHAN 30V SO-8.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - праграмуемыя супярэчнікі, Дыёды - Зэнер - Адзінокі, Транзістары - БНТ, МОФФЕТ - РФ, Транзістары - біпалярныя (BJT) - РФ, Тырыстары - TRIAC, Транзістары - JFET, Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, загадзя п and Дыёды - выпрамнікі - адзіночныя ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Diodes Incorporated DMP3056LSDQ-13. DMP3056LSDQ-13 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMP3056LSDQ-13 Атрыбуты прадукту

Частка нумар : DMP3056LSDQ-13
Вытворца : Diodes Incorporated
Апісанне : MOSFETDUAL P-CHAN 30V SO-8
Серыя : Automotive, AEC-Q101
Статус часткі : Active
Тып FET : 2 P-Channel (Dual)
Функцыя FET : Standard
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 30V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 6.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 45 mOhm @ 6A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id : 2.1V @ 250µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 13.7nC @ 4.5V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 722pF @ 25V
Магутнасць - Макс : 2.5W
Працоўная тэмпература : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тып мантажу : Surface Mount
Пакет / футляр : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Пакет прылад пастаўшчыка : 8-SO

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • IRF5810TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET 2P-CH 20V 2.9A 6-TSOP.

  • FDY2000PZ

    ON Semiconductor

    MOSFET 2P-CH 20V 0.35A SOT-563F.

  • DMN2040LTS-13

    Diodes Incorporated

    MOSFET 2N-CH 20V 6.7A 8TSSOP.

  • DMN2019UTS-13

    Diodes Incorporated

    MOSFET 2N-CH 20V 5.4A TSSOP-8.

  • DMG8822UTS-13

    Diodes Incorporated

    MOSFET 2N-CH 20V 4.9A 8TSSOP.

  • AO8801AL

    Alpha & Omega Semiconductor Inc.

    MOSFET 2P-CH 20V 4.5A 8TSSOP.