Microsemi Corporation - APTM100H46FT3G

KEY Part #: K6522620

APTM100H46FT3G Цэнаўтварэнне (USD) [1855шт шт]

  • 1 pcs$23.33434
  • 100 pcs$23.06400

Частка нумар:
APTM100H46FT3G
Вытворца:
Microsemi Corporation
Падрабязнае апісанне:
MOSFET 4N-CH 1000V 19A SP3.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Тырыстары - SCR - Модулі, Транзістары - FET, MOSFET - адзінкавыя, Дыёды - пераменная ёмістасць (Varicaps, Varactors), Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, загадзя п, Транзістары - БНТ, MOSFET - Масівы, Транзістары - IGBT - масівы, Транзістары - JFET and Транзістары - біпалярныя (BJT) - аднамесныя, з пап ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Microsemi Corporation APTM100H46FT3G. APTM100H46FT3G можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APTM100H46FT3G Атрыбуты прадукту

Частка нумар : APTM100H46FT3G
Вытворца : Microsemi Corporation
Апісанне : MOSFET 4N-CH 1000V 19A SP3
Серыя : POWER MOS 8™
Статус часткі : Active
Тып FET : 4 N-Channel (H-Bridge)
Функцыя FET : Standard
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 1000V (1kV)
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 19A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 552 mOhm @ 16A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id : 5V @ 2.5mA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 260nC @ 10V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 6800pF @ 25V
Магутнасць - Макс : 357W
Працоўная тэмпература : -40°C ~ 150°C (TJ)
Тып мантажу : Chassis Mount
Пакет / футляр : SP3
Пакет прылад пастаўшчыка : SP3

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • FDG6332C-F085

    ON Semiconductor

    MOSFET N/P-CH 20V SC70-6.

  • FDG8842CZ

    ON Semiconductor

    MOSFET N/P-CH 30V/25V SC70-6.

  • FDG6308P

    ON Semiconductor

    MOSFET 2P-CH 20V 0.6A SC70-6.

  • FDG6317NZ

    ON Semiconductor

    MOSFET 2N-CH 20V 0.7A SC70-6.

  • FDG8850NZ

    ON Semiconductor

    MOSFET 2N-CH 30V 0.75A SC70-6.

  • SI4804CDY-T1-E3

    Vishay Siliconix

    MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SO.