Vishay Semiconductor Diodes Division - GF1MHE3/5CA

KEY Part #: K6457511

GF1MHE3/5CA Цэнаўтварэнне (USD) [537478шт шт]

  • 1 pcs$0.07262
  • 6,500 pcs$0.07226

Частка нумар:
GF1MHE3/5CA
Вытворца:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Падрабязнае апісанне:
DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214BA. Rectifiers 1000 Volt 1.0 Amp Glass Passivated
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - JFET, Дыёды - РФ, Дыёды - Мастовыя выпрамнікі, Тырыстары - TRIAC, Транзістары - БНТ, MOSFET - Масівы, Тырыстары - SCR - Модулі, Транзістары - FET, MOSFET - адзінкавыя and Транзістары - IGBT - масівы ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Vishay Semiconductor Diodes Division GF1MHE3/5CA. GF1MHE3/5CA можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

GF1MHE3/5CA Атрыбуты прадукту

Частка нумар : GF1MHE3/5CA
Вытворца : Vishay Semiconductor Diodes Division
Апісанне : DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214BA
Серыя : SUPERECTIFIER®
Статус часткі : Active
Дыёдны тып : Standard
Напружанне - рэверс пастаяннага току (Vr) (макс.) : 1000V
Ток - Сярэдняя выпраўленасць (Io) : 1A
Напруга - наперад (Vf) (макс.) @ Калі : 1.2V @ 1A
Хуткасць : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Рэверсны час аднаўлення (TRR) : 2µs
Ток - Зваротная ўцечка @ Vr : 5µA @ 1000V
Ёмістасць @ Vr, F : -
Тып мантажу : Surface Mount
Пакет / футляр : DO-214BA
Пакет прылад пастаўшчыка : DO-214BA (GF1)
Працоўная тэмпература - развязка : -65°C ~ 175°C

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • CMDSH05-4 TR

    Central Semiconductor Corp

    DIODE SCHOTTKY 40V 500MA SOD323. Schottky Diodes & Rectifiers 40V Low Vf Schottky 500mA If 250mW

  • GL41YHE3/96

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1.6KV 1A DO213AB. Rectifiers 1 Amp 1600 Volt 30 Amp IFSM

  • RGL34KHE3/98

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 800V 500MA DO213. Rectifiers 800 Volt 0.5A 250ns 10 Amp IFSM

  • ES1D-E3/61T

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC. Rectifiers 1.0 Amp 200 Volt

  • US1M-E3/61T

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC. Rectifiers 1.0 Amp 1000 Volt

  • MURS160HE3_A/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 2A DO214AA. Rectifiers 1A,600V,50ns SMB, UF Rect, SMD