Toshiba Semiconductor and Storage - CLS01,LFJFQ(O

KEY Part #: K6441088

[3595шт шт]


    Частка нумар:
    CLS01,LFJFQ(O
    Вытворца:
    Toshiba Semiconductor and Storage
    Падрабязнае апісанне:
    DIODE SCHOTTKY 30V 10A L-FLAT.
    Manufacturer's standard lead time:
    У наяўнасці
    Тэрмін прыдатнасці:
    Адзін год
    Фішка ад:
    Ганконг
    RoHS:
    Спосаб аплаты:
    Адгрузка спосабам:
    Катэгорыі сям'і:
    KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, загадзя п, Дыёды - РФ, Транзістары - біпалярныя (BJT) - аднамесныя, з пап, Дыёды - выпрамнікі - масівы, Транзістары - IGBT - масівы, Транзістары - БНТ, МОФФЕТ - РФ, Транзістары - IGBT - адзінкавыя and Транзістары - FET, MOSFET - адзінкавыя ...
    Канкурэнтная перавага:
    Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Toshiba Semiconductor and Storage CLS01,LFJFQ(O. CLS01,LFJFQ(O можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    CLS01,LFJFQ(O Атрыбуты прадукту

    Частка нумар : CLS01,LFJFQ(O
    Вытворца : Toshiba Semiconductor and Storage
    Апісанне : DIODE SCHOTTKY 30V 10A L-FLAT
    Серыя : -
    Статус часткі : Obsolete
    Дыёдны тып : Schottky
    Напружанне - рэверс пастаяннага току (Vr) (макс.) : 30V
    Ток - Сярэдняя выпраўленасць (Io) : 10A (DC)
    Напруга - наперад (Vf) (макс.) @ Калі : 0.47V @ 10A
    Хуткасць : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    Рэверсны час аднаўлення (TRR) : -
    Ток - Зваротная ўцечка @ Vr : 1mA @ 30V
    Ёмістасць @ Vr, F : 530pF @ 10V, 1MHz
    Тып мантажу : Surface Mount
    Пакет / футляр : L-FLAT™
    Пакет прылад пастаўшчыка : L-FLAT™ (4x5.5)
    Працоўная тэмпература - развязка : -40°C ~ 125°C

    Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
    • IDB10S60CATMA2

      Infineon Technologies

      DIODE SCHOTTKY 600V 10A D2PAK.

    • VS-8EWF04S-M3

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 400V 8A TO252AA. Diodes - General Purpose, Power, Switching New Input Diodes - D-PAK-e3

    • VS-MURB1520TRLPBF

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 200V 15A D2PAK.

    • VS-20ETS08STRLPBF

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 800V 20A TO263AB.

    • VS-20ETS12STRLPBF

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 1.2KV 20A D2PAK.

    • VS-15TQ060STRLPBF

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE SCHOTTKY 60V 15A D2PAK.