Частка нумар :
RN2610(TE85L,F)
Вытворца :
Toshiba Semiconductor and Storage
Апісанне :
TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6
Тып транзістара :
2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Ток - калекцыянер (Ic) (макс.) :
100mA
Напружанне - Разбіўка выпраменьвальніка (макс.) :
50V
Рэзістар - база (R1) :
4.7 kOhms
Рэзістар - выпраменьвальная база (R2) :
-
Прыманне пастаяннага току (hFE) (Min) @ Ic, Vce :
120 @ 1mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic :
300mV @ 250µA, 5mA
Ток - адключэнне калекцыі (макс.) :
100nA (ICBO)
Частата - Пераход :
200MHz
Магутнасць - Макс :
300mW
Тып мантажу :
Surface Mount
Пакет / футляр :
SC-74, SOT-457
Пакет прылад пастаўшчыка :
SM6