Comchip Technology - 1N5407-G

KEY Part #: K6443917

Падрабязнае апісанне:: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD. Diodes - General Purpose, Power, Switching VR=800V, IO=3A

Катэгорыі сям'і:: KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Дыёды - Зэнер - Адзінокі, Транзістары - БНТ, МОФФЕТ - РФ, Транзістары - біпалярныя (BJT) - РФ, Транзістары - спецыяльнага прызначэння, Транзістары - біпалярныя (BJT) - адзінкавыя, Транзістары - БНТ, MOSFET - Масівы, Тырыстары - TRIAC and Дыёды - выпрамнікі - масівы ...

Канкурэнтная перавага:: Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Comchip Technology 1N5407-G. 1N5407-G можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com

Частка нумар : 1N5407-G

Вытворца : Comchip Technology

Апісанне : DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

Серыя : -

Статус часткі : Active

Дыёдны тып : Standard

Напружанне - рэверс пастаяннага току (Vr) (макс.) : 800V

Ток - Сярэдняя выпраўленасць (Io) : 3A

Напруга - наперад (Vf) (макс.) @ Калі : 1V @ 3A

Хуткасць : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Рэверсны час аднаўлення (TRR) : -

Ток - Зваротная ўцечка @ Vr : 5µA @ 800V

Ёмістасць @ Vr, F : -

Тып мантажу : Through Hole

Пакет / футляр : DO-201AD, Axial

Пакет прылад пастаўшчыка : DO-27 (DO-201AD)

Працоўная тэмпература - развязка : -65°C ~ 125°C

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў

BAS16-D87Z

ON Semiconductor

DIODE GEN PURP 85V 200MA SOT23-3.
VS-HFA08TA60C-N3

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURP 600V 4A TO220AB.
VSB1545-M3/54

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE SCHOTTKY 45V 15A P600.
BAY80-TAP

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURP 120V 250MA DO35.
VS-8ETU04STRLPBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURP 400V 8A TO262.
VS-MBRB1045PBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE SCHOTTKY 45V 10A D2PAK.