Калі ваша месцазнаходжанне няма ў спісе, выберыце адно з наступных:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Калі ваша месцазнаходжанне няма ў спісе, выберыце адно з наступных:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Дадому
  2. Прадукты
  3. Дыскрэтныя паўправадніковыя вырабы
  4. Дыёды - выпрамнікі - адзіночныя
  5. 1N5407-G

Comchip Technology - 1N5407-G

KEY Part #: K6443917

1N5407-G Цэнаўтварэнне (USD) [1221065шт шт]

  • 1 pcs$0.03197
  • 1,200 pcs$0.03181
Частка нумар:
1N5407-G
Вытворца:
Comchip Technology
Падрабязнае апісанне:
DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD. Diodes - General Purpose, Power, Switching VR=800V, IO=3A
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, Транзістары - FET, MOSFET - адзінкавыя, Дыёды - пераменная ёмістасць (Varicaps, Varactors), Транзістары - біпалярныя (BJT) - РФ, Транзістары - праграмуемыя супярэчнікі, Транзістары - IGBT - адзінкавыя, Модулі драйвераў харчавання and Дыёды - РФ ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Comchip Technology 1N5407-G. 1N5407-G можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

1N5407-G Атрыбуты прадукту

Частка нумар : 1N5407-G
Вытворца : Comchip Technology
Апісанне : DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD
Серыя : -
Статус часткі : Active
Дыёдны тып : Standard
Напружанне - рэверс пастаяннага току (Vr) (макс.) : 800V
Ток - Сярэдняя выпраўленасць (Io) : 3A
Напруга - наперад (Vf) (макс.) @ Калі : 1V @ 3A
Хуткасць : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Рэверсны час аднаўлення (TRR) : -
Ток - Зваротная ўцечка @ Vr : 5µA @ 800V
Ёмістасць @ Vr, F : -
Тып мантажу : Through Hole
Пакет / футляр : DO-201AD, Axial
Пакет прылад пастаўшчыка : DO-27 (DO-201AD)
Працоўная тэмпература - развязка : -65°C ~ 125°C

Апошнія навіны

Comchip Technology CGRTS General Purpose Rectifiers
Comchip Technology ACZRT55C-G Automotive Zener Diodes
Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • BAS16-D87Z

    ON Semiconductor

    DIODE GEN PURP 85V 200MA SOT23-3.

  • VS-HFA08TA60C-N3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 4A TO220AB.

  • VSB1545-M3/54

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 45V 15A P600.

  • BAY80-TAP

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 120V 250MA DO35.

  • VS-8ETU04STRLPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 8A TO262.

  • VS-MBRB1045PBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 45V 10A D2PAK.

Гарачыя часткі