S2J Цэнаўтварэнне (USD) [1148910шт шт]
- 1 pcs$0.03589
- 3,000 pcs$0.03571
- 6,000 pcs$0.03214
- 15,000 pcs$0.02857
- 30,000 pcs$0.02679
- 75,000 pcs$0.02381
- Частка нумар:
- S2J
- Вытворца:
- ON Semiconductor
- Падрабязнае апісанне:
- DIODE GEN PURP 600V 2A DO214AA. Rectifiers 600V 1.5a Rectifier Glass Passivated
- Manufacturer's standard lead time:
- У наяўнасці
- Тэрмін прыдатнасці:
- Адзін год
- Фішка ад:
- Ганконг
- RoHS:
- Спосаб аплаты:
-
- Адгрузка спосабам:
- Катэгорыі сям'і:
- KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - БНТ, МОФФЕТ - РФ, Транзістары - біпалярныя (BJT) - аднамесныя, з пап, Дыёды - РФ, Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, загадзя п, Тырыстары - DIAC, SIDAC, Тырыстары - SCR, Транзістары - JFET and Дыёды - Мастовыя выпрамнікі ...
- Канкурэнтная перавага:
- Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах ON Semiconductor S2J. S2J можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
S2J Атрыбуты прадукту
Частка нумар :
S2J
Вытворца :
ON Semiconductor
Апісанне :
DIODE GEN PURP 600V 2A DO214AA
Серыя :
-
Статус часткі :
Active
Дыёдны тып :
Standard
Напружанне - рэверс пастаяннага току (Vr) (макс.) :
600V
Ток - Сярэдняя выпраўленасць (Io) :
2A
Напруга - наперад (Vf) (макс.) @ Калі :
1.15V @ 2A
Хуткасць :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Рэверсны час аднаўлення (TRR) :
2µs
Ток - Зваротная ўцечка @ Vr :
1µA @ 600V
Ёмістасць @ Vr, F :
30pF @ 4V, 1MHz
Тып мантажу :
Surface Mount
Пакет / футляр :
DO-214AA, SMB
Пакет прылад пастаўшчыка :
DO-214AA (SMB)
Працоўная тэмпература - развязка :
-65°C ~ 150°C
Апошнія навіны
Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
-
-
BAS16E6327HTSA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching AF DIODE 85V 0.25A
-
-
CMDD6001 TR
Central Semiconductor Corp
DIODE GEN PURP 75V 250MA SOD323. Diodes - General Purpose, Power, Switching Ultra Low Leakage 71Vr 100Vrrm 250mA
-
VS-5EWH06FNTR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 5A DPAK. Rectifiers Hyperfast 5A 600V 18ns
-
1N4150W-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 50V 200MA SOD123. Diodes - General Purpose, Power, Switching 50 Volt 500mA 4ns
Гарачыя часткі
- APT10SCE120B
- MBR3100VP-G1
- FR206TA
- CMR3U-04 BK
- CMR3U-01 BK
- VS-18TQ035SPBF
- BAY80-TAP
- SS3H10HE3_A/H
- VS-6TQ035STRRPBF
- BAS1602WH6327XTSA1
- APT20SCD120B
- MBRF750HE3/45
- STPS30SM60D
- S5JHE3/9AT
- 1N3743G R G
- SR304-T-F
- GPP60D-E3/54
- 20ETF12FP
- DGP30HE3/54
- S3520
- MX1H5615
- MA3X028TAL
- USD245
- D6025L
- RK 14V1
- STTH8L06DIRG
- 1N5293UR-1
- 1N4002RL
- 20ETF02STRR
- UF4007 TR
- BY329-1200,127
- S1G-F
- 1F1-TP
- UF5406-AP
- 1N649UR-1
- FESF16HTHE3/45
- FES8AT-E3/45
- RP 3FV4
- RFN5BM2SFHTL
- BAS283-GS18