STPSC8H065B-TR Цэнаўтварэнне (USD) [65748шт шт]
- 1 pcs$0.59471
- 2,500 pcs$0.56497
- 5,000 pcs$0.54373
- Частка нумар:
- STPSC8H065B-TR
- Вытворца:
- STMicroelectronics
- Падрабязнае апісанне:
- DIODE SCHOTTKY 650V 8A DPAK. Schottky Diodes & Rectifiers 650 V 8A Schottky silicon carbide DPAK
- Manufacturer's standard lead time:
- У наяўнасці
- Тэрмін прыдатнасці:
- Адзін год
- Фішка ад:
- Ганконг
- RoHS:
- Спосаб аплаты:
-
- Адгрузка спосабам:
- Катэгорыі сям'і:
- KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, Транзістары - біпалярныя (BJT) - аднамесныя, з пап, Дыёды - выпрамнікі - масівы, Тырыстары - SCR, Транзістары - спецыяльнага прызначэння, Дыёды - пераменная ёмістасць (Varicaps, Varactors), Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, загадзя п and Тырыстары - DIAC, SIDAC ...
- Канкурэнтная перавага:
- Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах STMicroelectronics STPSC8H065B-TR. STPSC8H065B-TR можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
STPSC8H065B-TR Атрыбуты прадукту
Частка нумар :
STPSC8H065B-TR
Вытворца :
STMicroelectronics
Апісанне :
DIODE SCHOTTKY 650V 8A DPAK
Серыя :
-
Статус часткі :
Active
Дыёдны тып :
Silicon Carbide Schottky
Напружанне - рэверс пастаяннага току (Vr) (макс.) :
650V
Ток - Сярэдняя выпраўленасць (Io) :
8A
Напруга - наперад (Vf) (макс.) @ Калі :
1.75V @ 8A
Хуткасць :
No Recovery Time > 500mA (Io)
Рэверсны час аднаўлення (TRR) :
0ns
Ток - Зваротная ўцечка @ Vr :
80µA @ 650V
Ёмістасць @ Vr, F :
414pF @ 0V, 1MHz
Тып мантажу :
Surface Mount
Пакет / футляр :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Пакет прылад пастаўшчыка :
DPAK
Працоўная тэмпература - развязка :
-40°C ~ 175°C
Апошнія навіны
Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
-
SD101AW-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 400MW 60V SOD123. Schottky Diodes & Rectifiers 30mA 60 Volt
-
RS07K-GS18
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GP 800V 500MA DO219AB. Rectifiers 1.3V 2uA 300ns
-
SE10FJHM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 1A DO219AB. Rectifiers 1A 600V SMF Rectifier
-
S07J-GS18
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GP 600V 700MA DO219AB. Rectifiers 0.7 Amp 600 Volt 1.8uS
-
SS1FH10HM3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 100V 1A DO-219AB. Schottky Diodes & Rectifiers If 1A Vrrm 100V AEC-Q101 Qualified
-
BAV19-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 100V 250MA DO35. Diodes - General Purpose, Power, Switching 120 Volt 625mA
Гарачыя часткі
- IDD12SG60CXTMA2
- S1MFL RVG
- RGP10J-5025M3/73
- JAN1N1190
- R4260F
- R9G22011ASOO
- MURS120HE3/52T
- IDW12G65C5FKSA1
- SB040-E3/54
- NSRM30CM3T5G
- AR3PJHM3/86A
- VS-60CPF02PBF
- VS-150SQ035
- RGP02-14E-M3/73
- RS1GHE3/5AT
- RGP5020HE3/54
- SB160A-E3/73
- GP15KHE3/73
- 1N4937L-T
- MR7510-BP
- JAN1N6629US
- STTH40P03SFP
- BAS29_D87Z
- D4015L
- VS-12TQ040PBF
- SS16T3
- MBRB745
- RS3G-13
- 20ETS12S
- 1PS59SB20,115
- MBRM120ET1H
- ER1D-TP
- 1N4935-TP
- MUR110-AP
- STPS2H100UF
- RU 2V1
- SK56C M6G
- ESH2CHE3_A/I
- BA159GPE-E3/73
- LL4448-GS08