Вытворца :
Vishay Siliconix
Апісанне :
MOSFET N-CH 800V 4.1A TO-220AB
Тэхналогіі :
MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) :
800V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C :
4.1A (Tc)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
3 Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs :
78nC @ 10V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds :
1300pF @ 25V
Рассейванне магутнасці (макс.) :
125W (Tc)
Працоўная тэмпература :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тып мантажу :
Through Hole
Пакет прылад пастаўшчыка :
TO-220AB
Пакет / футляр :
TO-220-3