Microsemi Corporation - APT75GP120J

KEY Part #: K6533674

APT75GP120J Цэнаўтварэнне (USD) [2252шт шт]

  • 1 pcs$19.23158
  • 10 pcs$17.98577
  • 25 pcs$16.63432
  • 100 pcs$15.59468
  • 250 pcs$14.55503

Частка нумар:
APT75GP120J
Вытворца:
Microsemi Corporation
Падрабязнае апісанне:
IGBT 1200V 128A 543W SOT227.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - FET, MOSFET - адзінкавыя, Транзістары - біпалярныя (BJT) - аднамесныя, з пап, Дыёды - пераменная ёмістасць (Varicaps, Varactors), Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, Дыёды - РФ, Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, загадзя п, Дыёды - выпрамнікі - адзіночныя and Транзістары - біпалярныя (BJT) - адзінкавыя ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Microsemi Corporation APT75GP120J. APT75GP120J можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APT75GP120J Атрыбуты прадукту

Частка нумар : APT75GP120J
Вытворца : Microsemi Corporation
Апісанне : IGBT 1200V 128A 543W SOT227
Серыя : POWER MOS 7®
Статус часткі : Active
Тып IGBT : PT
Канфігурацыя : Single
Напружанне - Разбіўка выпраменьвальніка (макс.) : 1200V
Ток - калекцыянер (Ic) (макс.) : 128A
Магутнасць - Макс : 543W
Vce (на) (Max) @ Vge, Ic : 3.9V @ 15V, 75A
Ток - адключэнне калекцыі (макс.) : 1mA
Ёмістасць уводу (Cies) @ Vce : 7.04nF @ 25V
Увод : Standard
NTC-цеплавізатар : No
Працоўная тэмпература : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тып мантажу : Chassis Mount
Пакет / футляр : ISOTOP
Пакет прылад пастаўшчыка : ISOTOP®

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • VS-GT175DA120U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 1200V 288A 1087W SOT-227.

  • VS-CPV363M4KPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    MOD IGBT 3PHASE INV 600V SIP.

  • VS-GT100NA120UX

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 1200V 134A 463W SOT-227.

  • VS-GT100LA120UX

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 1200V 134A 463W SOT-227.

  • VS-GT100DA60U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 600V 184A 577W SOT-227.

  • VS-GT100DA120U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 1200V 258A 893W SOT-227.