Vishay Siliconix - SQJA94EP-T1_GE3

KEY Part #: K6420279

SQJA94EP-T1_GE3 Цэнаўтварэнне (USD) [178202шт шт]

  • 1 pcs$0.20756
  • 3,000 pcs$0.17541

Частка нумар:
SQJA94EP-T1_GE3
Вытворца:
Vishay Siliconix
Падрабязнае апісанне:
MOSFET N-CH 80V 46A POWERPAKSO-8.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - БНТ, MOSFET - Масівы, Дыёды - выпрамнікі - масівы, Дыёды - Мастовыя выпрамнікі, Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, Транзістары - біпалярныя (BJT) - аднамесныя, з пап, Транзістары - IGBT - масівы, Модулі драйвераў харчавання and Тырыстары - SCR - Модулі ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Vishay Siliconix SQJA94EP-T1_GE3. SQJA94EP-T1_GE3 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SQJA94EP-T1_GE3 Атрыбуты прадукту

Частка нумар : SQJA94EP-T1_GE3
Вытворца : Vishay Siliconix
Апісанне : MOSFET N-CH 80V 46A POWERPAKSO-8
Серыя : Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Статус часткі : Active
Тып FET : N-Channel
Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 80V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 46A (Tc)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 13.5 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id : 3.5V @ 250µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 35nC @ 10V
Vgs (макс.) : ±20V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 2000pF @ 25V
Функцыя FET : -
Рассейванне магутнасці (макс.) : 55W (Tc)
Працоўная тэмпература : -55°C ~ 175°C (TJ)
Тып мантажу : Surface Mount
Пакет прылад пастаўшчыка : PowerPAK® SO-8
Пакет / футляр : PowerPAK® SO-8

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў