Infineon Technologies - FS75R12KE3GBOSA1

KEY Part #: K6534468

FS75R12KE3GBOSA1 Цэнаўтварэнне (USD) [805шт шт]

  • 1 pcs$57.67222

Частка нумар:
FS75R12KE3GBOSA1
Вытворца:
Infineon Technologies
Падрабязнае апісанне:
MOD IGBT LOW PWR ECONO3-4.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, загадзя п, Транзістары - IGBT - Модулі, Дыёды - выпрамнікі - масівы, Тырыстары - SCR, Тырыстары - TRIAC, Дыёды - выпрамнікі - адзіночныя, Транзістары - біпалярныя (BJT) - адзінкавыя and Транзістары - праграмуемыя супярэчнікі ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Infineon Technologies FS75R12KE3GBOSA1. FS75R12KE3GBOSA1 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FS75R12KE3GBOSA1 Атрыбуты прадукту

Частка нумар : FS75R12KE3GBOSA1
Вытворца : Infineon Technologies
Апісанне : MOD IGBT LOW PWR ECONO3-4
Серыя : -
Статус часткі : Active
Тып IGBT : -
Канфігурацыя : Three Phase Inverter
Напружанне - Разбіўка выпраменьвальніка (макс.) : 1200V
Ток - калекцыянер (Ic) (макс.) : 100A
Магутнасць - Макс : 355W
Vce (на) (Max) @ Vge, Ic : 2.15V @ 15V, 75A
Ток - адключэнне калекцыі (макс.) : 5mA
Ёмістасць уводу (Cies) @ Vce : 5.3nF @ 25V
Увод : Standard
NTC-цеплавізатар : Yes
Працоўная тэмпература : -40°C ~ 125°C
Тып мантажу : Chassis Mount
Пакет / футляр : Module
Пакет прылад пастаўшчыка : Module

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • GA400TD25S

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT FAST 250V 400A INT-A-PAK.

  • CPV364M4F

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 15A IMS-2.

  • CPV363M4F

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 9A IMS-2.

  • GA200SA60U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT UFAST 600V 100A SOT227.

  • GA200SA60S

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT STD 600V 100A SOT227.

  • STGE50NC60VD

    STMicroelectronics

    IGBT 50A 600V ISOTOP.