ON Semiconductor - RHRP8120-F102

KEY Part #: K6447462

RHRP8120-F102 Цэнаўтварэнне (USD) [49221шт шт]

  • 1 pcs$0.79439

Частка нумар:
RHRP8120-F102
Вытворца:
ON Semiconductor
Падрабязнае апісанне:
DIODE GEN PURP 1.2KV 8A TO220-2. Rectifiers 1200V, 8A, HYPERFAST DIODE
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - IGBT - масівы, Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, загадзя п, Транзістары - IGBT - адзінкавыя, Транзістары - спецыяльнага прызначэння, Тырыстары - SCR, Модулі драйвераў харчавання, Транзістары - FET, MOSFET - адзінкавыя and Транзістары - біпалярныя (BJT) - адзінкавыя ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах ON Semiconductor RHRP8120-F102. RHRP8120-F102 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

RHRP8120-F102 Атрыбуты прадукту

Частка нумар : RHRP8120-F102
Вытворца : ON Semiconductor
Апісанне : DIODE GEN PURP 1.2KV 8A TO220-2
Серыя : -
Статус часткі : Active
Дыёдны тып : Standard
Напружанне - рэверс пастаяннага току (Vr) (макс.) : 1200V
Ток - Сярэдняя выпраўленасць (Io) : 8A
Напруга - наперад (Vf) (макс.) @ Калі : 3.2V @ 8A
Хуткасць : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Рэверсны час аднаўлення (TRR) : 70ns
Ток - Зваротная ўцечка @ Vr : 100µA @ 1200V
Ёмістасць @ Vr, F : -
Тып мантажу : Through Hole
Пакет / футляр : TO-220-2
Пакет прылад пастаўшчыка : TO-220-2
Працоўная тэмпература - развязка : -65°C ~ 175°C

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • MA3X78600L

    Panasonic Electronic Components

    DIODE SCHOTTKY 30V 100MA MINI3.

  • MA3X74800L

    Panasonic Electronic Components

    DIODE SCHOTTKY 20V 500MA MINI3.

  • 1PS193,115

    NXP USA Inc.

    DIODE GEN PURP 80V 215MA SMT3.

  • 1PS193,135

    NXP USA Inc.

    DIODE GEN PURP 80V 215MA SMT3.

  • 8EWS12S

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1.2KV 8A DPAK.

  • 50WQ06FNTRR

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 60V 5.5A DPAK.