VS-8EWS08STR-M3 Цэнаўтварэнне (USD) [59709шт шт]
- 1 pcs$0.65486
- 2,000 pcs$0.56949
- Частка нумар:
- VS-8EWS08STR-M3
- Вытворца:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Падрабязнае апісанне:
- DIODE GEN PURP 800V 8A D-PAK. Schottky Diodes & Rectifiers New Input Diodes - D-PAK-e3
- Manufacturer's standard lead time:
- У наяўнасці
- Тэрмін прыдатнасці:
- Адзін год
- Фішка ад:
- Ганконг
- RoHS:
- Спосаб аплаты:
-
- Адгрузка спосабам:
- Катэгорыі сям'і:
- KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - IGBT - масівы, Тырыстары - DIAC, SIDAC, Транзістары - БНТ, МОФФЕТ - РФ, Тырыстары - SCR - Модулі, Транзістары - IGBT - адзінкавыя, Транзістары - FET, MOSFET - адзінкавыя, Транзістары - БНТ, MOSFET - Масівы and Транзістары - біпалярныя (BJT) - аднамесныя, з пап ...
- Канкурэнтная перавага:
- Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Vishay Semiconductor Diodes Division VS-8EWS08STR-M3. VS-8EWS08STR-M3 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
VS-8EWS08STR-M3 Атрыбуты прадукту
Частка нумар :
VS-8EWS08STR-M3
Вытворца :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Апісанне :
DIODE GEN PURP 800V 8A D-PAK
Серыя :
-
Статус часткі :
Active
Дыёдны тып :
Standard
Напружанне - рэверс пастаяннага току (Vr) (макс.) :
800V
Ток - Сярэдняя выпраўленасць (Io) :
8A
Напруга - наперад (Vf) (макс.) @ Калі :
1.1V @ 8A
Хуткасць :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Рэверсны час аднаўлення (TRR) :
-
Ток - Зваротная ўцечка @ Vr :
50µA @ 800V
Ёмістасць @ Vr, F :
-
Тып мантажу :
Surface Mount
Пакет / футляр :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Пакет прылад пастаўшчыка :
D-PAK (TO-252AA)
Працоўная тэмпература - развязка :
-55°C ~ 150°C
Апошнія навіны
Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
-
VS-8EWL06FNTR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 8A DPAK. Rectifiers Ultrafast 8A 600V 60ns
-
VS-6EWL06FNTR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 6A DPAK. Rectifiers Ultrafast 6A 600V 59ns
-
VS-8EWF12STR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 1.2KV 8A D-PAK. Schottky Diodes & Rectifiers New Input Diodes - D-PAK-e3
-
VS-15EWH06FNTR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 15A DPAK. Rectifiers Hyperfast 15A 600V 22ns
-
VS-8EWS08STR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 800V 8A D-PAK. Schottky Diodes & Rectifiers New Input Diodes - D-PAK-e3
-
VT3080S-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 30A 80V TO-220AB. Schottky Diodes & Rectifiers 30A,80V,TRENCH
Гарачыя часткі
- MBRB10H50HE3/45
- MBRB16H35-E3/81
- GP10KE-M3/73
- 1N4005-N-0-2-BP
- 1N4003 BK
- IRD3CH31DB6
- SS310HE-TP
- CLL914 BK
- JANTX1N6761UR-1
- GP10-4003E-M3/54
- EGP10F-M3/54
- VS-30WQ06FNTRLPBF
- UH1B-E3/61T
- MBRF7H60HE3/45
- RGP15DHE3/54
- RB420D-TP
- VS-90SQ045TR
- DGP20HE3/54
- 1N5622GP-E3/73
- U1GWJ49(TE12L,F)
- STTH3R04
- 2A02-T
- STTH10R04G
- FFPF04U150STU
- VS-20L15TPBF
- MBR2515L
- MBR845RL
- B280-13
- 60CPF10
- 40EPS08
- MA3X72100L
- MA2J11600L
- DL4001
- IDD15E60BUMA1
- 2A01-TP
- IDW30E60AFKSA1
- RGP02-14E-E3/73
- HS5M M6G
- GL41DHE3/97
- SE15PD-M3/85A