BAL99E6433HTMA1 Цэнаўтварэнне (USD) [4027624шт шт]
- 1 pcs$0.01077
- 10,000 pcs$0.01071
- Частка нумар:
- BAL99E6433HTMA1
- Вытворца:
- Infineon Technologies
- Падрабязнае апісанне:
- DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Tuning Diode
- Manufacturer's standard lead time:
- У наяўнасці
- Тэрмін прыдатнасці:
- Адзін год
- Фішка ад:
- Ганконг
- RoHS:
- Спосаб аплаты:
-
- Адгрузка спосабам:
- Катэгорыі сям'і:
- KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Тырыстары - DIAC, SIDAC, Транзістары - IGBT - адзінкавыя, Транзістары - спецыяльнага прызначэння, Дыёды - РФ, Транзістары - JFET, Транзістары - FET, MOSFET - адзінкавыя, Дыёды - выпрамнікі - масівы and Транзістары - БНТ, MOSFET - Масівы ...
- Канкурэнтная перавага:
- Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Infineon Technologies BAL99E6433HTMA1. BAL99E6433HTMA1 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
BAL99E6433HTMA1 Атрыбуты прадукту
Частка нумар :
BAL99E6433HTMA1
Вытворца :
Infineon Technologies
Апісанне :
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3
Серыя :
-
Статус часткі :
Last Time Buy
Дыёдны тып :
Standard
Напружанне - рэверс пастаяннага току (Vr) (макс.) :
80V
Ток - Сярэдняя выпраўленасць (Io) :
250mA (DC)
Напруга - наперад (Vf) (макс.) @ Калі :
1.25V @ 150mA
Хуткасць :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Рэверсны час аднаўлення (TRR) :
4ns
Ток - Зваротная ўцечка @ Vr :
1µA @ 70V
Ёмістасць @ Vr, F :
1.5pF @ 0V, 1MHz
Тып мантажу :
Surface Mount
Пакет / футляр :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Пакет прылад пастаўшчыка :
SOT-23-3
Працоўная тэмпература - развязка :
-65°C ~ 150°C
Апошнія навіны
Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
-
BAL74E6327HTSA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 50V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode 250mA
-
BAT54T
ON Semiconductor
DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT523. Schottky Diodes & Rectifiers 0.2A,30V,Surf Mt SCHOTTKY Barr DIODE
-
BAS21E6433HTMA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 200V 250MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode
-
BAS116E6433HTMA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode
-
-
BAL99E6327HTSA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Tuning Diode
Гарачыя часткі
- SS22SHE3_A/I
- 1N4001-N-2-3-AP
- 1N6910UTK2AS
- IRD3CH101DD6
- MBRH20020RL
- JANTXV1N3595AUR-1
- 1N5805
- UFR3020PF
- S3740
- CD214B-F2100
- 1N3910
- CDBM230-HF
- MBRB1650-E3/45
- US1AHE3/5AT
- S1PDHE3/85A
- S1AHE3/5AT
- CDBP0130R-G
- MPG06BHE3/54
- EGP30GHE3/54
- GPP60AHE3/73
- R9G21412CSOO
- V12P10HE3/86A
- 1N4936RL
- B240A-13
- RS1KB-13
- SD253N04S15PV
- VS-80SQ035
- S1M-26R2G
- SF13M-TP
- JANTX1N5711-1/TR
- 1N647UR-1
- DNA30E2200PC-TUB
- STPSC606D
- BYWB29-200-E3/81
- ES3A-E3/57T
- STTH2L06UFY
- EGL34GHE3_A/I
- RSX201VA-30TR
- RF05VA1STR
- BAS40-00-G3-08