STMicroelectronics - STGWT80V60DF

KEY Part #: K6421755

STGWT80V60DF Цэнаўтварэнне (USD) [10723шт шт]

  • 1 pcs$3.84290
  • 10 pcs$3.47228
  • 100 pcs$2.87460
  • 500 pcs$2.50317
  • 1,000 pcs$2.18018

Частка нумар:
STGWT80V60DF
Вытворца:
STMicroelectronics
Падрабязнае апісанне:
IGBT 600V 120A 469W TO-3P.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - БНТ, МОФФЕТ - РФ, Транзістары - FET, MOSFET - адзінкавыя, Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, загадзя п, Транзістары - спецыяльнага прызначэння, Транзістары - біпалярныя (BJT) - аднамесныя, з пап, Тырыстары - TRIAC, Транзістары - БНТ, MOSFET - Масівы and Дыёды - РФ ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах STMicroelectronics STGWT80V60DF. STGWT80V60DF можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

STGWT80V60DF Атрыбуты прадукту

Частка нумар : STGWT80V60DF
Вытворца : STMicroelectronics
Апісанне : IGBT 600V 120A 469W TO-3P
Серыя : -
Статус часткі : Active
Тып IGBT : Trench Field Stop
Напружанне - Разбіўка выпраменьвальніка (макс.) : 600V
Ток - калекцыянер (Ic) (макс.) : 120A
Ток - Імпульсны калекцыянер (мкм) : 240A
Vce (на) (Max) @ Vge, Ic : 2.3V @ 15V, 80A
Магутнасць - Макс : 469W
Пераключэнне энергіі : 1.8mJ (on), 1mJ (off)
Тып уводу : Standard
Зарад брамы : 448nC
Тд (уключэнне / выключэнне) пры 25 ° С : 60ns/220ns
Стан тэсту : 400V, 80A, 5 Ohm, 15V
Рэверсны час аднаўлення (TRR) : 60ns
Працоўная тэмпература : -55°C ~ 175°C (TJ)
Тып мантажу : Through Hole
Пакет / футляр : TO-3P-3, SC-65-3
Пакет прылад пастаўшчыка : TO-3P

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • FGD3N60LSDTM

    ON Semiconductor

    IGBT 600V 6A 40W DPAK.

  • FDV301N

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 25V 220MA SOT-23.

  • SSM3J325F,LF

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET P-CH 20V 2A S-MINI.

  • BSS138

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 50V 220MA SOT-23.

  • BSS123NH6433XTMA1

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 100V 0.19A SOT-23.

  • BSS7728NH6327XTSA1

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23.