NSB8GTHE3_A/I Цэнаўтварэнне (USD) [104538шт шт]
- 1 pcs$0.37403
- 800 pcs$0.33139
- Частка нумар:
- NSB8GTHE3_A/I
- Вытворца:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Падрабязнае апісанне:
- DIODE GEN PURP 400V 8A TO263AB. Rectifiers 8A 400V Glass Psvtd AEC-Q101 Qualified
- Manufacturer's standard lead time:
- У наяўнасці
- Тэрмін прыдатнасці:
- Адзін год
- Фішка ад:
- Ганконг
- RoHS:
- Спосаб аплаты:
-
- Адгрузка спосабам:
- Катэгорыі сям'і:
- KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Дыёды - пераменная ёмістасць (Varicaps, Varactors), Транзістары - БНТ, МОФФЕТ - РФ, Дыёды - Мастовыя выпрамнікі, Тырыстары - TRIAC, Транзістары - IGBT - масівы, Тырыстары - SCR, Тырыстары - SCR - Модулі and Транзістары - IGBT - адзінкавыя ...
- Канкурэнтная перавага:
- Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Vishay Semiconductor Diodes Division NSB8GTHE3_A/I. NSB8GTHE3_A/I можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
NSB8GTHE3_A/I Атрыбуты прадукту
Частка нумар :
NSB8GTHE3_A/I
Вытворца :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Апісанне :
DIODE GEN PURP 400V 8A TO263AB
Серыя :
Automotive, AEC-Q101
Статус часткі :
Active
Дыёдны тып :
Standard
Напружанне - рэверс пастаяннага току (Vr) (макс.) :
400V
Ток - Сярэдняя выпраўленасць (Io) :
8A
Напруга - наперад (Vf) (макс.) @ Калі :
1.1V @ 8A
Хуткасць :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Рэверсны час аднаўлення (TRR) :
-
Ток - Зваротная ўцечка @ Vr :
10µA @ 400V
Ёмістасць @ Vr, F :
55pF @ 4V, 1MHz
Тып мантажу :
Surface Mount
Пакет / футляр :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Пакет прылад пастаўшчыка :
TO-263AB
Працоўная тэмпература - развязка :
-55°C ~ 150°C
Апошнія навіны
Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
-
BYV29-600PQ
WeEn Semiconductors
DIODE GEN PURP 600V 9A TO220AB. Rectifiers BYV29-600PQ/TO220-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
-
S07J-M-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GP 600V 700MA DO219AB. Rectifiers SWITCHING DIODE GENPURP SMF DO219e3M
-
S07M-M-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 1KV 700MA DO219AB. Rectifiers SWITCHING DIODE GENPURP SMF DO219e3M
-
S1FLM-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 1KV 700MA DO219AB. Rectifiers 1.1V 10uA 1.8us
-
S1FLG-GS18
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GP 400V 700MA DO219AB. Rectifiers GENPURP SWITCHING DIODESMFDO219ECO-e3
-
S1FLG-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GP 400V 700MA DO219AB. Rectifiers GENPURP SWITCHING DIODESMFDO219ECO-e3
Гарачыя часткі
- APT10SCE120B
- MBR3100VP-G1
- FR206TA
- CMR3U-04 BK
- CMR3U-01 BK
- VS-18TQ035SPBF
- BAY80-TAP
- SS3H10HE3_A/H
- VS-6TQ035STRRPBF
- BAS1602WH6327XTSA1
- APT20SCD120B
- MBRF750HE3/45
- STPS30SM60D
- S5JHE3/9AT
- 1N3743G R G
- SR304-T-F
- GPP60D-E3/54
- 20ETF12FP
- DGP30HE3/54
- S3520
- MX1H5615
- MA3X028TAL
- USD245
- D6025L
- RK 14V1
- STTH8L06DIRG
- 1N5293UR-1
- 1N4002RL
- 20ETF02STRR
- UF4007 TR
- BY329-1200,127
- S1G-F
- 1F1-TP
- UF5406-AP
- 1N649UR-1
- FESF16HTHE3/45
- FES8AT-E3/45
- RP 3FV4
- RFN5BM2SFHTL
- BAS283-GS18