Vishay Siliconix - SIHB12N65E-GE3

KEY Part #: K6402104

SIHB12N65E-GE3 Цэнаўтварэнне (USD) [28168шт шт]

  • 1 pcs$1.46312
  • 1,000 pcs$0.63146

Частка нумар:
SIHB12N65E-GE3
Вытворца:
Vishay Siliconix
Падрабязнае апісанне:
MOSFET N-CH 650V 12A D2PAK.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - IGBT - адзінкавыя, Транзістары - FET, MOSFET - адзінкавыя, Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, Транзістары - біпалярныя (BJT) - адзінкавыя, Транзістары - біпалярныя (BJT) - аднамесныя, з пап, Тырыстары - DIAC, SIDAC, Дыёды - Зэнер - Масівы and Дыёды - Мастовыя выпрамнікі ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Vishay Siliconix SIHB12N65E-GE3. SIHB12N65E-GE3 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIHB12N65E-GE3 Атрыбуты прадукту

Частка нумар : SIHB12N65E-GE3
Вытворца : Vishay Siliconix
Апісанне : MOSFET N-CH 650V 12A D2PAK
Серыя : -
Статус часткі : Active
Тып FET : N-Channel
Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 650V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 12A (Tc)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 380 mOhm @ 6A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 70nC @ 10V
Vgs (макс.) : ±30V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 1224pF @ 100V
Функцыя FET : -
Рассейванне магутнасці (макс.) : 156W (Tc)
Працоўная тэмпература : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тып мантажу : Surface Mount
Пакет прылад пастаўшчыка : D²PAK (TO-263)
Пакет / футляр : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • ZVN3310ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 100V 200MA TO92-3.

  • BS107PSTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 200V 0.12A TO92-3.

  • ZVN2106ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 60V 0.45A TO92-3.

  • LND150N3-G-P003

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3.

  • ZVN2110ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 100V 320MA TO92-3.

  • ZVP2110ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET P-CH 100V 0.23A TO92-3.