Vishay Siliconix - IRFD9210PBF

KEY Part #: K6403033

IRFD9210PBF Цэнаўтварэнне (USD) [93521шт шт]

  • 1 pcs$0.37629
  • 10 pcs$0.31047
  • 100 pcs$0.23963
  • 500 pcs$0.17750
  • 1,000 pcs$0.14200

Частка нумар:
IRFD9210PBF
Вытворца:
Vishay Siliconix
Падрабязнае апісанне:
MOSFET P-CH 200V 0.4A 4-DIP.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - праграмуемыя супярэчнікі, Дыёды - РФ, Транзістары - JFET, Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, загадзя п, Дыёды - Мастовыя выпрамнікі, Тырыстары - SCR - Модулі, Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы and Транзістары - IGBT - адзінкавыя ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Vishay Siliconix IRFD9210PBF. IRFD9210PBF можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRFD9210PBF Атрыбуты прадукту

Частка нумар : IRFD9210PBF
Вытворца : Vishay Siliconix
Апісанне : MOSFET P-CH 200V 0.4A 4-DIP
Серыя : -
Статус часткі : Active
Тып FET : P-Channel
Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 200V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 400mA (Ta)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3 Ohm @ 240mA, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 8.9nC @ 10V
Vgs (макс.) : ±20V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 170pF @ 25V
Функцыя FET : -
Рассейванне магутнасці (макс.) : 1W (Ta)
Працоўная тэмпература : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тып мантажу : Through Hole
Пакет прылад пастаўшчыка : 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Пакет / футляр : 4-DIP (0.300", 7.62mm)

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў