BAW27-TR Цэнаўтварэнне (USD) [3340050шт шт]
- 1 pcs$0.01107
- 50,000 pcs$0.00930
- Частка нумар:
- BAW27-TR
- Вытворца:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Падрабязнае апісанне:
- DIODE GEN PURP 60V 600MA DO35. Diodes - General Purpose, Power, Switching 75 Volt 200mA 4.0 Amp IFSM
- Manufacturer's standard lead time:
- У наяўнасці
- Тэрмін прыдатнасці:
- Адзін год
- Фішка ад:
- Ганконг
- RoHS:
- Спосаб аплаты:
-
- Адгрузка спосабам:
- Катэгорыі сям'і:
- KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - БНТ, MOSFET - Масівы, Дыёды - РФ, Транзістары - IGBT - адзінкавыя, Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, загадзя п, Транзістары - БНТ, МОФФЕТ - РФ, Тырыстары - SCR - Модулі, Дыёды - Зэнер - Масівы and Транзістары - біпалярныя (BJT) - РФ ...
- Канкурэнтная перавага:
- Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Vishay Semiconductor Diodes Division BAW27-TR. BAW27-TR можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
BAW27-TR Атрыбуты прадукту
Частка нумар :
BAW27-TR
Вытворца :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Апісанне :
DIODE GEN PURP 60V 600MA DO35
Серыя :
Automotive, AEC-Q101
Статус часткі :
Active
Дыёдны тып :
Standard
Напружанне - рэверс пастаяннага току (Vr) (макс.) :
60V
Ток - Сярэдняя выпраўленасць (Io) :
600mA (DC)
Напруга - наперад (Vf) (макс.) @ Калі :
1.25V @ 400mA
Хуткасць :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Рэверсны час аднаўлення (TRR) :
6ns
Ток - Зваротная ўцечка @ Vr :
100nA @ 60V
Ёмістасць @ Vr, F :
4pF @ 0V, 1MHz
Тып мантажу :
Through Hole
Пакет / футляр :
DO-204AH, DO-35, Axial
Пакет прылад пастаўшчыка :
DO-35
Працоўная тэмпература - развязка :
175°C (Max)
Апошнія навіны
Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
-
-
CMDD4448 BK
Central Semiconductor Corp
DIODE GEN PURP 75V 250MA SOD323. Diodes - General Purpose, Power, Switching Switching Diode Sgl Switching Diode Sgl
-
BAT42W-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOD123. Schottky Diodes & Rectifiers 30Volt 200mA 4A IFSM
-
S07G-GS18
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GP 400V 700MA DO219AB. Rectifiers 0.7 Amp 400 Volt 1.8uS
-
VS-1EFH02HM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 200V 1A DO219AB. Rectifiers Hypfst Rct 1A 200V
-
VS-2EFH02HM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 200V 2A DO219AB. Rectifiers Hypfst Rct 2A 200V
Гарачыя часткі
- CN646 BK
- IRD3CH53DB6
- VS-20MQ100NPBF
- 1N4002GPEHE3/91
- RS1PBHM3/85A
- VS-30WQ03FNPBF
- SK36/TR13
- CD214A-B130LLF
- VS-50WQ06FNPBF
- CDBA320L-G
- VS-80EPF12PBF
- 1N4551A
- C2D05120E
- RB520S-30FTE61
- MBRB735-E3/45
- VS-20ETF04STRRPBF
- 1N1616A
- APT15D30KG
- SDP06S60
- RGP20JHE3/73
- R6100625XXYZ
- R6100230XXYZ
- UG1002-T
- STTH5R06G
- MURA240T3
- VS-31DQ05TR
- NUR460/L02,112
- MUR1510H
- CTLSH1-50M832DS BK
- SF34-TP
- RL251M-TP
- R5000-TP
- FR1007-AP
- STPS30170DJF-TR
- ESH3C-E3/9AT
- RB053L-30TE25
- RU 1CV
- ES3B-E3/9AT
- IMBD4148-HE3-08
- LS4154GS18