Vishay Semiconductor Diodes Division - EGF1DHE3/5CA

KEY Part #: K6447654

[1350шт шт]


    Частка нумар:
    EGF1DHE3/5CA
    Вытворца:
    Vishay Semiconductor Diodes Division
    Падрабязнае апісанне:
    DIODE GEN PURP 200V 1A DO214BA.
    Manufacturer's standard lead time:
    У наяўнасці
    Тэрмін прыдатнасці:
    Адзін год
    Фішка ад:
    Ганконг
    RoHS:
    Спосаб аплаты:
    Адгрузка спосабам:
    Катэгорыі сям'і:
    KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Тырыстары - SCR - Модулі, Дыёды - Зэнер - Адзінокі, Транзістары - БНТ, МОФФЕТ - РФ, Тырыстары - TRIAC, Тырыстары - DIAC, SIDAC, Транзістары - БНТ, MOSFET - Масівы, Дыёды - Мастовыя выпрамнікі and Транзістары - біпалярныя (BJT) - адзінкавыя ...
    Канкурэнтная перавага:
    Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Vishay Semiconductor Diodes Division EGF1DHE3/5CA. EGF1DHE3/5CA можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    EGF1DHE3/5CA Атрыбуты прадукту

    Частка нумар : EGF1DHE3/5CA
    Вытворца : Vishay Semiconductor Diodes Division
    Апісанне : DIODE GEN PURP 200V 1A DO214BA
    Серыя : SUPERECTIFIER®
    Статус часткі : Discontinued at Digi-Key
    Дыёдны тып : Standard
    Напружанне - рэверс пастаяннага току (Vr) (макс.) : 200V
    Ток - Сярэдняя выпраўленасць (Io) : 1A
    Напруга - наперад (Vf) (макс.) @ Калі : 1V @ 1A
    Хуткасць : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    Рэверсны час аднаўлення (TRR) : 50ns
    Ток - Зваротная ўцечка @ Vr : 5µA @ 200V
    Ёмістасць @ Vr, F : 15pF @ 4V, 1MHz
    Тып мантажу : Surface Mount
    Пакет / футляр : DO-214BA
    Пакет прылад пастаўшчыка : DO-214BA (GF1)
    Працоўная тэмпература - развязка : -65°C ~ 175°C

    Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
    • RURD660S9A-F085

      ON Semiconductor

      DIODE GEN PURP 600V 6A DPAK. Rectifiers Ultrafast Power Rectifier, 6A 600V

    • RURD660S9A-F085P

      ON Semiconductor

      UFR DPAK PN 6A 200V. Rectifiers 6A, 600V Ultrafast Diodes

    • FFSD08120A

      ON Semiconductor

      1200V 8A SIC SBD. Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 8A SIC SBD

    • RURD460S9A

      ON Semiconductor

      DIODE GEN PURP 600V 4A TO252. Diodes - General Purpose, Power, Switching Ultra Fast Diode 4a 600V

    • 1PS193,115

      NXP USA Inc.

      DIODE GEN PURP 80V 215MA SMT3.

    • 1PS193,135

      NXP USA Inc.

      DIODE GEN PURP 80V 215MA SMT3.