Vishay Semiconductor Diodes Division - RS2JHE3/5BT

KEY Part #: K6446981

[1580шт шт]


    Частка нумар:
    RS2JHE3/5BT
    Вытворца:
    Vishay Semiconductor Diodes Division
    Падрабязнае апісанне:
    DIODE GEN PURP 600V 1.5A DO214AA.
    Manufacturer's standard lead time:
    У наяўнасці
    Тэрмін прыдатнасці:
    Адзін год
    Фішка ад:
    Ганконг
    RoHS:
    Спосаб аплаты:
    Адгрузка спосабам:
    Катэгорыі сям'і:
    KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - IGBT - Модулі, Дыёды - выпрамнікі - адзіночныя, Тырыстары - SCR - Модулі, Транзістары - біпалярныя (BJT) - РФ, Транзістары - БНТ, MOSFET - Масівы, Дыёды - РФ, Дыёды - Зэнер - Адзінокі and Транзістары - спецыяльнага прызначэння ...
    Канкурэнтная перавага:
    Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Vishay Semiconductor Diodes Division RS2JHE3/5BT. RS2JHE3/5BT можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    RS2JHE3/5BT Атрыбуты прадукту

    Частка нумар : RS2JHE3/5BT
    Вытворца : Vishay Semiconductor Diodes Division
    Апісанне : DIODE GEN PURP 600V 1.5A DO214AA
    Серыя : -
    Статус часткі : Discontinued at Digi-Key
    Дыёдны тып : Standard
    Напружанне - рэверс пастаяннага току (Vr) (макс.) : 600V
    Ток - Сярэдняя выпраўленасць (Io) : 1.5A
    Напруга - наперад (Vf) (макс.) @ Калі : 1.3V @ 1.5A
    Хуткасць : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    Рэверсны час аднаўлення (TRR) : 250ns
    Ток - Зваротная ўцечка @ Vr : 5µA @ 600V
    Ёмістасць @ Vr, F : 17pF @ 4V, 1MHz
    Тып мантажу : Surface Mount
    Пакет / футляр : DO-214AA, SMB
    Пакет прылад пастаўшчыка : DO-214AA (SMB)
    Працоўная тэмпература - развязка : -55°C ~ 150°C

    Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
    • RHRD660S9A_NL

      ON Semiconductor

      DIODE GEN PURP 600V 6A DPAK.

    • DGS13-025CS

      IXYS

      DIODE SCHOTTKY 250V 21A TO252AA.

    • MMBD1501A_D87Z

      ON Semiconductor

      DIODE GEN PURP 200V 200MA SOT23.

    • MMBD1201_D87Z

      ON Semiconductor

      DIODE GEN PURP 100V 200MA SOT23.

    • VS-8EWX06FN-M3

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 600V 8A TO252. Rectifiers 8A 600V 15ns Hyperfast

    • GPP60G-E3/73

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 400V 6A P600.