Infineon Technologies - BAS3005S02LRHE6327XTSA1

KEY Part #: K6458239

BAS3005S02LRHE6327XTSA1 Цэнаўтварэнне (USD) [989225шт шт]

  • 1 pcs$0.03836
  • 15,000 pcs$0.03817

Частка нумар:
BAS3005S02LRHE6327XTSA1
Вытворца:
Infineon Technologies
Падрабязнае апісанне:
DIODE SCHOTTKY 30V 500MA TSLP-2.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - IGBT - Модулі, Тырыстары - TRIAC, Транзістары - праграмуемыя супярэчнікі, Транзістары - БНТ, MOSFET - Масівы, Транзістары - JFET, Модулі драйвераў харчавання, Транзістары - FET, MOSFET - адзінкавыя and Транзістары - IGBT - масівы ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Infineon Technologies BAS3005S02LRHE6327XTSA1. BAS3005S02LRHE6327XTSA1 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BAS3005S02LRHE6327XTSA1 Атрыбуты прадукту

Частка нумар : BAS3005S02LRHE6327XTSA1
Вытворца : Infineon Technologies
Апісанне : DIODE SCHOTTKY 30V 500MA TSLP-2
Серыя : -
Статус часткі : Active
Дыёдны тып : Schottky
Напружанне - рэверс пастаяннага току (Vr) (макс.) : 30V
Ток - Сярэдняя выпраўленасць (Io) : 500mA (DC)
Напруга - наперад (Vf) (макс.) @ Калі : 500mV @ 500mA
Хуткасць : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Рэверсны час аднаўлення (TRR) : -
Ток - Зваротная ўцечка @ Vr : 300µA @ 30V
Ёмістасць @ Vr, F : 15pF @ 5V, 1MHz
Тып мантажу : Surface Mount
Пакет / футляр : SOD-882
Пакет прылад пастаўшчыка : PG-TSLP-2
Працоўная тэмпература - развязка : -55°C ~ 150°C

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • 1SS250(TE85L,F)

    Toshiba Semiconductor and Storage

    DIODE GEN PURP 200V 100MA SC59. Diodes - General Purpose, Power, Switching 0.1A 200V Switching Diode S-Mini High

  • SE20AFGHM3/6B

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 1.3A DO221AC. Rectifiers 2 Amp 400 volts ESD PROTECTION 13in

  • SE20AFDHM3/6B

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 1.3A DO221AC. Rectifiers 2 Amp 200 volts ESD PROTECTION 13in

  • SE20AFBHM3/6B

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 100V 1.3A DO221AC. Rectifiers 2 Amp 100 volts ESD PROTECTION 13in

  • SE20AFB-M3/6A

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 100V 1.3A DO221AC. Rectifiers 2 Amp 100 Volts ESD PROTECTION

  • SE20AFD-M3/6B

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 1.3A DO221AC. Rectifiers 2 Amp 200 volts ESD PROTECTION 13in