Infineon Technologies - FZ1200R17HP4HOSA2

KEY Part #: K6533608

FZ1200R17HP4HOSA2 Цэнаўтварэнне (USD) [142шт шт]

  • 1 pcs$326.00658

Частка нумар:
FZ1200R17HP4HOSA2
Вытворца:
Infineon Technologies
Падрабязнае апісанне:
MODULE IGBT IHMB130-2.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - спецыяльнага прызначэння, Транзістары - праграмуемыя супярэчнікі, Тырыстары - DIAC, SIDAC, Дыёды - выпрамнікі - адзіночныя, Дыёды - пераменная ёмістасць (Varicaps, Varactors), Дыёды - Мастовыя выпрамнікі, Транзістары - біпалярныя (BJT) - адзінкавыя and Транзістары - JFET ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Infineon Technologies FZ1200R17HP4HOSA2. FZ1200R17HP4HOSA2 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FZ1200R17HP4HOSA2 Атрыбуты прадукту

Частка нумар : FZ1200R17HP4HOSA2
Вытворца : Infineon Technologies
Апісанне : MODULE IGBT IHMB130-2
Серыя : -
Статус часткі : Active
Тып IGBT : Trench
Канфігурацыя : Single Switch
Напружанне - Разбіўка выпраменьвальніка (макс.) : 1700V
Ток - калекцыянер (Ic) (макс.) : 1200A
Магутнасць - Макс : 7800W
Vce (на) (Max) @ Vge, Ic : 2.25V @ 15V, 1200A
Ток - адключэнне калекцыі (макс.) : 5mA
Ёмістасць уводу (Cies) @ Vce : 97nF @ 25V
Увод : Standard
NTC-цеплавізатар : No
Працоўная тэмпература : -40°C ~ 150°C
Тып мантажу : Chassis Mount
Пакет / футляр : Module
Пакет прылад пастаўшчыка : Module

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • VS-GT175DA120U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 1200V 288A 1087W SOT-227.

  • VS-CPV363M4KPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    MOD IGBT 3PHASE INV 600V SIP.

  • VS-GT100NA120UX

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 1200V 134A 463W SOT-227.

  • VS-GT100LA120UX

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 1200V 134A 463W SOT-227.

  • VS-GT100DA60U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 600V 184A 577W SOT-227.

  • VS-GT100DA120U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 1200V 258A 893W SOT-227.