BYW80-200G Цэнаўтварэнне (USD) [119899шт шт]
- 1 pcs$0.38047
- 10 pcs$0.31521
- 100 pcs$0.24165
- 500 pcs$0.19103
- 1,000 pcs$0.15282
- Частка нумар:
- BYW80-200G
- Вытворца:
- ON Semiconductor
- Падрабязнае апісанне:
- DIODE GEN PURP 200V 8A TO220-2. Rectifiers 200V 8A UltraFast
- Manufacturer's standard lead time:
- У наяўнасці
- Тэрмін прыдатнасці:
- Адзін год
- Фішка ад:
- Ганконг
- RoHS:
- Спосаб аплаты:
-
- Адгрузка спосабам:
- Катэгорыі сям'і:
- KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Тырыстары - SCR, Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, Транзістары - біпалярныя (BJT) - адзінкавыя, Транзістары - FET, MOSFET - адзінкавыя, Транзістары - біпалярныя (BJT) - РФ, Транзістары - БНТ, МОФФЕТ - РФ, Дыёды - Мастовыя выпрамнікі and Транзістары - IGBT - масівы ...
- Канкурэнтная перавага:
- Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах ON Semiconductor BYW80-200G. BYW80-200G можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
BYW80-200G Атрыбуты прадукту
Частка нумар :
BYW80-200G
Вытворца :
ON Semiconductor
Апісанне :
DIODE GEN PURP 200V 8A TO220-2
Серыя :
SWITCHMODE™
Статус часткі :
Active
Дыёдны тып :
Standard
Напружанне - рэверс пастаяннага току (Vr) (макс.) :
200V
Ток - Сярэдняя выпраўленасць (Io) :
8A
Напруга - наперад (Vf) (макс.) @ Калі :
1.25V @ 22A
Хуткасць :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Рэверсны час аднаўлення (TRR) :
35ns
Ток - Зваротная ўцечка @ Vr :
10µA @ 200V
Ёмістасць @ Vr, F :
-
Тып мантажу :
Through Hole
Пакет / футляр :
TO-220-2
Пакет прылад пастаўшчыка :
TO-220-2
Працоўная тэмпература - развязка :
-65°C ~ 175°C
Апошнія навіны
Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
-
RHRD660S9A
ON Semiconductor
DIODE GEN PURP 600V 6A TO252-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching 6A 600V HyperFast Diode
-
C3D02065E
Cree/Wolfspeed
DIODE SCHOTTKY 650V 2A TO252-2. Schottky Diodes & Rectifiers Schottky Diode 2A, 650V
-
-
VS-12EWH06FN-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 12A TO252. Rectifiers 12A 600V 18ns Hyperfast
-
P600D-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 200V 6A P600. Rectifiers 6.0 Amp 200 Volt 400 Amp IFSM
-
BYM10-600-E3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 1A DO213AB. Rectifiers 600 Volt 1.0 Amp Glass Passivated
Гарачыя часткі
- CN646 BK
- IRD3CH53DB6
- VS-20MQ100NPBF
- 1N4002GPEHE3/91
- RS1PBHM3/85A
- VS-30WQ03FNPBF
- SK36/TR13
- CD214A-B130LLF
- VS-50WQ06FNPBF
- CDBA320L-G
- VS-80EPF12PBF
- 1N4551A
- C2D05120E
- RB520S-30FTE61
- MBRB735-E3/45
- VS-20ETF04STRRPBF
- 1N1616A
- APT15D30KG
- SDP06S60
- RGP20JHE3/73
- R6100625XXYZ
- R6100230XXYZ
- UG1002-T
- STTH5R06G
- MURA240T3
- VS-31DQ05TR
- NUR460/L02,112
- MUR1510H
- CTLSH1-50M832DS BK
- SF34-TP
- RL251M-TP
- R5000-TP
- FR1007-AP
- STPS30170DJF-TR
- ESH3C-E3/9AT
- RB053L-30TE25
- RU 1CV
- ES3B-E3/9AT
- IMBD4148-HE3-08
- LS4154GS18