Калі ваша месцазнаходжанне няма ў спісе, выберыце адно з наступных:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Калі ваша месцазнаходжанне няма ў спісе, выберыце адно з наступных:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Дадому
  2. Прадукты
  3. Дыскрэтныя паўправадніковыя вырабы
  4. Транзістары - БНТ, МОФФЕТ - РФ
  5. BLA6G1011L-200RG,1

Ampleon USA Inc. - BLA6G1011L-200RG,1

KEY Part #: K6466306

BLA6G1011L-200RG,1 Цэнаўтварэнне (USD) [330шт шт]

  • 1 pcs$140.11593
  • 10 pcs$134.19726
Частка нумар:
BLA6G1011L-200RG,1
Вытворца:
Ampleon USA Inc.
Падрабязнае апісанне:
RF FET LDMOS 65V 20DB SOT502D.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - IGBT - Модулі, Тырыстары - SCR - Модулі, Дыёды - выпрамнікі - адзіночныя, Дыёды - Мастовыя выпрамнікі, Транзістары - IGBT - адзінкавыя, Дыёды - Зэнер - Масівы, Дыёды - РФ and Тырыстары - TRIAC ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Ampleon USA Inc. BLA6G1011L-200RG,1. BLA6G1011L-200RG,1 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BLA6G1011L-200RG,1 Атрыбуты прадукту

Частка нумар : BLA6G1011L-200RG,1
Вытворца : Ampleon USA Inc.
Апісанне : RF FET LDMOS 65V 20DB SOT502D
Серыя : -
Статус часткі : Not For New Designs
Тып транзістара : LDMOS
Частата : 1.03GHz ~ 1.09GHz
Ўзмоцніць : 20dB
Напружанне - тэст : 28V
Бягучы рэйтынг : 49A
Фігура шуму : -
Ток - тэст : 100mA
Магутнасць - выхад : 200W
Напружанне - Намінальны : 65V
Пакет / футляр : SOT-502D
Пакет прылад пастаўшчыка : LDMOST
Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • J211-D74Z

    ON Semiconductor

    JFET N-CH 25V 20MA TO92.

  • MMBFJ309

    ON Semiconductor

    JFET N-CH 25V 30MA SOT23.

  • 3SK293(TE85L,F)

    Toshiba Semiconductor and Storage

    FET RF 12.5V 800MHZ USQ.

  • 3SK294(TE85L,F)

    Toshiba Semiconductor and Storage

    FET RF 12.5V 500MHZ USQ.

  • 3SK291(TE85L,F)

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH SMQ.

  • 3SK292(TE85R,F)

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 12.5 30MA SMQ.

Гарачыя часткі