Sanken - SJPB-H4V

KEY Part #: K6430131

Катэгорыі сям'і:: KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Дыёды - РФ, Тырыстары - SCR - Модулі, Дыёды - пераменная ёмістасць (Varicaps, Varactors), Дыёды - Зэнер - Адзінокі, Транзістары - IGBT - Модулі, Транзістары - біпалярныя (BJT) - РФ, Транзістары - БНТ, МОФФЕТ - РФ and Дыёды - выпрамнікі - адзіночныя ...

Канкурэнтная перавага:: Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Sanken SJPB-H4V. SJPB-H4V можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com

Частка нумар : SJPB-H4V

Вытворца : Sanken

Апісанне : DIODE SCHOTTKY 40V 2A SJP

Серыя : -

Статус часткі : Active

Дыёдны тып : Schottky

Напружанне - рэверс пастаяннага току (Vr) (макс.) : 40V

Ток - Сярэдняя выпраўленасць (Io) : 2A

Напруга - наперад (Vf) (макс.) @ Калі : 550mV @ 2A

Хуткасць : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Рэверсны час аднаўлення (TRR) : -

Ток - Зваротная ўцечка @ Vr : 200µA @ 40V

Ёмістасць @ Vr, F : -

Тып мантажу : Surface Mount

Пакет / футляр : 2-SMD, J-Lead

Пакет прылад пастаўшчыка : SJP

Працоўная тэмпература - развязка : -40°C ~ 150°C

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў

SICRD5650TR

SMC Diode Solutions

DIODE SCHOTTKY SILICON CARBIDE S.
SICRD101200TR

SMC Diode Solutions

DIODE SCHOTTKY SILICON CARBIDE S.
V12P12-M3/86A

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE SCHOTTKY 120V 12A TO277A. Schottky Diodes & Rectifiers 12 Amp 120 Volt
AS3PGHM3_A/H

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE AVALANCHE 400V 2.1A TO277A. Rectifiers 3A,400V, SMPC STD, Avalanche SM
VS-6ESH01-M3/87A

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURP 100V 6A TO277A. Rectifiers Hypfst Rct 6A 100V
V12P15HM3/I

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE SCHOTTKY 150V 12A TO277A. Schottky Diodes & Rectifiers 150V SMPC (TO-277A) AEC-Q101 Qualified

Гарачыя часткі