Diodes Incorporated - ZXMN2A02N8TA

KEY Part #: K6398842

ZXMN2A02N8TA Цэнаўтварэнне (USD) [105782шт шт]

  • 1 pcs$0.37148
  • 500 pcs$0.34965

Частка нумар:
ZXMN2A02N8TA
Вытворца:
Diodes Incorporated
Падрабязнае апісанне:
MOSFET N-CH 20V 8.3A 8-SOIC.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Дыёды - выпрамнікі - адзіночныя, Модулі драйвераў харчавання, Транзістары - біпалярныя (BJT) - аднамесныя, з пап, Транзістары - біпалярныя (BJT) - адзінкавыя, Дыёды - Зэнер - Адзінокі, Тырыстары - TRIAC, Транзістары - БНТ, МОФФЕТ - РФ and Дыёды - Зэнер - Масівы ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Diodes Incorporated ZXMN2A02N8TA. ZXMN2A02N8TA можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

ZXMN2A02N8TA Атрыбуты прадукту

Частка нумар : ZXMN2A02N8TA
Вытворца : Diodes Incorporated
Апісанне : MOSFET N-CH 20V 8.3A 8-SOIC
Серыя : -
Статус часткі : Active
Тып FET : N-Channel
Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 20V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 8.3A (Ta)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 20 mOhm @ 11A, 4.5V
Vgs (й) (Max) @ Id : 700mV @ 250µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 18.9nC @ 4.5V
Vgs (макс.) : ±12V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 1900pF @ 10V
Функцыя FET : -
Рассейванне магутнасці (макс.) : 1.56W (Ta)
Працоўная тэмпература : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тып мантажу : Surface Mount
Пакет прылад пастаўшчыка : 8-SO
Пакет / футляр : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • VP3203N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 30V 650MA TO92-3.

  • DN3545N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 450V 0.136A TO92-3.

  • VP2450N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 500V 0.1A TO92-3.

  • TP0620N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 200V 0.175A TO92-3.

  • R5021ANX

    Rohm Semiconductor

    MOSFET N-CH 500V 21A TO220.

  • IPA032N06N3GXKSA1

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 60V 84A TO220-3-31.