Частка нумар :
ZXMN2A02N8TA
Вытворца :
Diodes Incorporated
Апісанне :
MOSFET N-CH 20V 8.3A 8-SOIC
Тэхналогіі :
MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) :
20V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C :
8.3A (Ta)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) :
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
20 mOhm @ 11A, 4.5V
Vgs (й) (Max) @ Id :
700mV @ 250µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs :
18.9nC @ 4.5V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds :
1900pF @ 10V
Рассейванне магутнасці (макс.) :
1.56W (Ta)
Працоўная тэмпература :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тып мантажу :
Surface Mount
Пакет прылад пастаўшчыка :
8-SO
Пакет / футляр :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)