Калі ваша месцазнаходжанне няма ў спісе, выберыце адно з наступных:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Калі ваша месцазнаходжанне няма ў спісе, выберыце адно з наступных:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Дадому
  2. Прадукты
  3. Дыскрэтныя паўправадніковыя вырабы
  4. Дыёды - выпрамнікі - адзіночныя
  5. CDBJSC101200-G

Comchip Technology - CDBJSC101200-G

KEY Part #: K6430876

CDBJSC101200-G Цэнаўтварэнне (USD) [13054шт шт]

  • 1 pcs$3.15720
Частка нумар:
CDBJSC101200-G
Вытворца:
Comchip Technology
Падрабязнае апісанне:
DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO. Schottky Diodes & Rectifiers SiC POWER SCHOTTKY 10A 1200V
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Дыёды - Мастовыя выпрамнікі, Транзістары - IGBT - адзінкавыя, Тырыстары - SCR - Модулі, Дыёды - пераменная ёмістасць (Varicaps, Varactors), Транзістары - IGBT - Модулі, Транзістары - біпалярныя (BJT) - РФ, Дыёды - Зэнер - Масівы and Транзістары - IGBT - масівы ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Comchip Technology CDBJSC101200-G. CDBJSC101200-G можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

CDBJSC101200-G Атрыбуты прадукту

Частка нумар : CDBJSC101200-G
Вытворца : Comchip Technology
Апісанне : DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO
Серыя : -
Статус часткі : Active
Дыёдны тып : Silicon Carbide Schottky
Напружанне - рэверс пастаяннага току (Vr) (макс.) : 1200V
Ток - Сярэдняя выпраўленасць (Io) : 10A (DC)
Напруга - наперад (Vf) (макс.) @ Калі : 1.7V @ 10A
Хуткасць : No Recovery Time > 500mA (Io)
Рэверсны час аднаўлення (TRR) : 0ns
Ток - Зваротная ўцечка @ Vr : 100µA @ 1200V
Ёмістасць @ Vr, F : 780pF @ 0V, 1MHz
Тып мантажу : Through Hole
Пакет / футляр : TO-220-2
Пакет прылад пастаўшчыка : TO-220-2
Працоўная тэмпература - развязка : -55°C ~ 175°C

Апошнія навіны

Comchip Technology CGRTS General Purpose Rectifiers
Comchip Technology ACZRT55C-G Automotive Zener Diodes
Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • SR10150-G

    Comchip Technology

    DIODE SCHOTTKY 150V 10A ITO220AB. Schottky Diodes & Rectifiers VR=150V, IO=10A

  • SB260-E3/73

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 60V 2A DO204AC. Schottky Diodes & Rectifiers 60 Volt 2.0 Amp 60 Amp IFSM

  • SS10P6HM3_A/H

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 60V 7A TO277A. Schottky Diodes & Rectifiers 10A,60V,SM SKY RECT.

  • AR4PMHM3_A/H

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE AVALANCH 1KV 1.8A TO277A. Rectifiers 4A,1000V, SMPC Fast Rec Avalanche

  • VS-4ESH01HM3/87A

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 100V 4A TO277A. Rectifiers Hypfst Rct 4A 100V AEC-Q101

  • AR3PDHM3_A/H

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE AVALANCHE 200V 1.8A TO277A. Rectifiers 3A,200V, SMPC Fast Rec Avalanche

Гарачыя часткі