Nexperia USA Inc. - PSMN7R6-100BSEJ

KEY Part #: K6418520

PSMN7R6-100BSEJ Цэнаўтварэнне (USD) [67261шт шт]

  • 1 pcs$0.58133
  • 800 pcs$0.51593

Частка нумар:
PSMN7R6-100BSEJ
Вытворца:
Nexperia USA Inc.
Падрабязнае апісанне:
MOSFET N-CH 100V D2PAK.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Дыёды - Зэнер - Масівы, Транзістары - JFET, Транзістары - біпалярныя (BJT) - РФ, Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, Транзістары - біпалярныя (BJT) - адзінкавыя, Дыёды - выпрамнікі - масівы, Дыёды - выпрамнікі - адзіночныя and Тырыстары - TRIAC ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Nexperia USA Inc. PSMN7R6-100BSEJ. PSMN7R6-100BSEJ можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

PSMN7R6-100BSEJ Атрыбуты прадукту

Частка нумар : PSMN7R6-100BSEJ
Вытворца : Nexperia USA Inc.
Апісанне : MOSFET N-CH 100V D2PAK
Серыя : -
Статус часткі : Active
Тып FET : N-Channel
Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 100V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 75A (Tj)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 7.6 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id : 4V @ 1mA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 128nC @ 10V
Vgs (макс.) : ±20V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 7110pF @ 50V
Функцыя FET : -
Рассейванне магутнасці (макс.) : 296W (Tc)
Працоўная тэмпература : -55°C ~ 175°C (TJ)
Тып мантажу : Surface Mount
Пакет прылад пастаўшчыка : D2PAK
Пакет / футляр : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • IXTY01N80

    IXYS

    MOSFET N-CH 800V 0.1A TO-252AA.

  • IRFR1018ETRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 60V 56A DPAK.

  • IXTU5N50P

    IXYS

    MOSFET N-CH 500V 4.8A TO-252.

  • TK42A12N1,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 120V 42A TO-220.

  • TK8A65W,S5X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 650V 7.8A TO-220SIS.

  • TK6A65W,S5X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 650V 5.8A TO-220SIS.