Частка нумар :
TPC8125,LQ(S
Вытворца :
Toshiba Semiconductor and Storage
Апісанне :
MOSFET P-CH 30V 10A 8SOP
Тэхналогіі :
MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) :
30V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C :
10A (Ta)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
13 mOhm @ 5A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id :
2V @ 500µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs :
64nC @ 10V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds :
2580pF @ 10V
Рассейванне магутнасці (макс.) :
1W (Ta)
Працоўная тэмпература :
150°C (TJ)
Тып мантажу :
Surface Mount
Пакет прылад пастаўшчыка :
8-SOP
Пакет / футляр :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)