Vishay Semiconductor Diodes Division - GBU4JL-5707E3/45

KEY Part #: K6541719

[12283шт шт]


    Частка нумар:
    GBU4JL-5707E3/45
    Вытворца:
    Vishay Semiconductor Diodes Division
    Падрабязнае апісанне:
    BRIDGE RECT 1PHASE 600V 3A GBU.
    Manufacturer's standard lead time:
    У наяўнасці
    Тэрмін прыдатнасці:
    Адзін год
    Фішка ад:
    Ганконг
    RoHS:
    Спосаб аплаты:
    Адгрузка спосабам:
    Катэгорыі сям'і:
    KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Тырыстары - DIAC, SIDAC, Транзістары - IGBT - масівы, Дыёды - Зэнер - Адзінокі, Транзістары - біпалярныя (BJT) - РФ, Транзістары - біпалярныя (BJT) - аднамесныя, з пап, Транзістары - IGBT - адзінкавыя, Дыёды - выпрамнікі - адзіночныя and Тырыстары - SCR - Модулі ...
    Канкурэнтная перавага:
    Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Vishay Semiconductor Diodes Division GBU4JL-5707E3/45. GBU4JL-5707E3/45 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    GBU4JL-5707E3/45 Атрыбуты прадукту

    Частка нумар : GBU4JL-5707E3/45
    Вытворца : Vishay Semiconductor Diodes Division
    Апісанне : BRIDGE RECT 1PHASE 600V 3A GBU
    Серыя : -
    Статус часткі : Obsolete
    Дыёдны тып : Single Phase
    Тэхналогіі : Standard
    Напруга - максімальная рэверсія (макс.) : 600V
    Ток - Сярэдняя выпраўленасць (Io) : 3A
    Напруга - наперад (Vf) (макс.) @ Калі : 1V @ 4A
    Ток - Зваротная ўцечка @ Vr : 5µA @ 600V
    Працоўная тэмпература : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Тып мантажу : Through Hole
    Пакет / футляр : 4-SIP, GBU
    Пакет прылад пастаўшчыка : GBU

    Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
    • DBA250G

      ON Semiconductor

      BRIDGE RECT 1PHASE 600V 6A.

    • DBG250G

      ON Semiconductor

      BRIDGE RECT 1PHASE 600V 3.6A.

    • DBF10G

      ON Semiconductor

      BRIDGE RECT 1PHASE 600V 1A.

    • TB4S-G

      Comchip Technology

      BRIDGE RECT 1P 400V 800MA 4TBS. Bridge Rectifiers RECT BRIDGE .8A 400V

    • TB6S-G

      Comchip Technology

      BRIDGE RECT 1P 600V 800MA 4TBS.

    • TB2S-G

      Comchip Technology

      BRIDGE RECT 1P 200V 800MA 4TBS. Bridge Rectifiers VR=200V IF(AV)=1A