Частка нумар :
BSM150GB170DN2HOSA1
Вытворца :
Infineon Technologies
Апісанне :
MODULE IGBT 1700V
Канфігурацыя :
Half Bridge
Напружанне - Разбіўка выпраменьвальніка (макс.) :
1700V
Ток - калекцыянер (Ic) (макс.) :
220A
Магутнасць - Макс :
1250W
Vce (на) (Max) @ Vge, Ic :
3.9V @ 15V, 150A
Ток - адключэнне калекцыі (макс.) :
1.5mA
Ёмістасць уводу (Cies) @ Vce :
20nF @ 25V
Працоўная тэмпература :
150°C (TJ)
Тып мантажу :
Chassis Mount
Пакет прылад пастаўшчыка :
Module