Vishay Semiconductor Diodes Division - VS-12F120

KEY Part #: K6441017

VS-12F120 Цэнаўтварэнне (USD) [13896шт шт]

  • 1 pcs$3.11575
  • 10 pcs$2.81343
  • 25 pcs$2.68245
  • 100 pcs$2.32910
  • 250 pcs$2.22441
  • 500 pcs$2.02814
  • 1,000 pcs$1.76644

Частка нумар:
VS-12F120
Вытворца:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Падрабязнае апісанне:
DIODE GEN PURP 1.2KV 12A DO203AA. Rectifiers 1200 Volt 12 Amp
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - біпалярныя (BJT) - аднамесныя, з пап, Модулі драйвераў харчавання, Транзістары - JFET, Дыёды - РФ, Транзістары - біпалярныя (BJT) - адзінкавыя, Тырыстары - DIAC, SIDAC, Тырыстары - SCR and Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Vishay Semiconductor Diodes Division VS-12F120. VS-12F120 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

VS-12F120 Атрыбуты прадукту

Частка нумар : VS-12F120
Вытворца : Vishay Semiconductor Diodes Division
Апісанне : DIODE GEN PURP 1.2KV 12A DO203AA
Серыя : -
Статус часткі : Active
Дыёдны тып : Standard
Напружанне - рэверс пастаяннага току (Vr) (макс.) : 1200V
Ток - Сярэдняя выпраўленасць (Io) : 12A
Напруга - наперад (Vf) (макс.) @ Калі : 1.26V @ 38A
Хуткасць : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Рэверсны час аднаўлення (TRR) : -
Ток - Зваротная ўцечка @ Vr : 12mA @ 1200V
Ёмістасць @ Vr, F : -
Тып мантажу : Chassis, Stud Mount
Пакет / футляр : DO-203AA, DO-4, Stud
Пакет прылад пастаўшчыка : DO-203AA
Працоўная тэмпература - развязка : -65°C ~ 175°C

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • RURD420S9A_T

    ON Semiconductor

    DIODE GEN PURP 200V 4A TO252.

  • IDB10S60CATMA2

    Infineon Technologies

    DIODE SCHOTTKY 600V 10A D2PAK.

  • VS-8EWF04S-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 8A TO252AA. Diodes - General Purpose, Power, Switching New Input Diodes - D-PAK-e3

  • VS-MURB1520TRLPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 15A D2PAK.

  • VS-20ETS08STRLPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 800V 20A TO263AB.

  • VS-20ETS12STRLPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1.2KV 20A D2PAK.