Vishay Semiconductor Diodes Division - FESB16BT-E3/81

KEY Part #: K6456209

FESB16BT-E3/81 Цэнаўтварэнне (USD) [84873шт шт]

  • 1 pcs$0.46070
  • 800 pcs$0.42754

Частка нумар:
FESB16BT-E3/81
Вытворца:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Падрабязнае апісанне:
DIODE GEN PURP 100V 16A TO263AB. Rectifiers 100 Volt 16 Amp 35ns Single
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Тырыстары - TRIAC, Транзістары - біпалярныя (BJT) - РФ, Тырыстары - SCR, Транзістары - IGBT - адзінкавыя, Транзістары - праграмуемыя супярэчнікі, Транзістары - БНТ, MOSFET - Масівы, Транзістары - IGBT - масівы and Транзістары - JFET ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Vishay Semiconductor Diodes Division FESB16BT-E3/81. FESB16BT-E3/81 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FESB16BT-E3/81 Атрыбуты прадукту

Частка нумар : FESB16BT-E3/81
Вытворца : Vishay Semiconductor Diodes Division
Апісанне : DIODE GEN PURP 100V 16A TO263AB
Серыя : -
Статус часткі : Active
Дыёдны тып : Standard
Напружанне - рэверс пастаяннага току (Vr) (макс.) : 100V
Ток - Сярэдняя выпраўленасць (Io) : 16A
Напруга - наперад (Vf) (макс.) @ Калі : 975mV @ 16A
Хуткасць : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Рэверсны час аднаўлення (TRR) : 35ns
Ток - Зваротная ўцечка @ Vr : 10µA @ 100V
Ёмістасць @ Vr, F : 175pF @ 4V, 1MHz
Тып мантажу : Surface Mount
Пакет / футляр : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Пакет прылад пастаўшчыка : TO-263AB
Працоўная тэмпература - развязка : -65°C ~ 150°C

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • MMBD4148-TP

    Micro Commercial Co

    DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching 200mA 100V

  • SMBD914E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 100V 250MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching AF DIODE 100V 0.25A

  • CDBV1100-HF

    Comchip Technology

    DIODE SCHOTTKY 100V 1A SOD323. Schottky Diodes & Rectifiers SCHOTTKY 1A 100V HALOGEN-FREE

  • SD103AW-E3-08

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 40V SOD123. Schottky Diodes & Rectifiers 350 mA 40 Volt

  • BAV20-TR

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 150V 250MA DO35. Diodes - General Purpose, Power, Switching 200V If/250mA T/R

  • FESB16GTHE3/45

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 16A TO263AB. Rectifiers 16 Amp 400 Volt 50ns 250 Amp IFSM