FESB16BT-E3/81 Цэнаўтварэнне (USD) [84873шт шт]
- 1 pcs$0.46070
- 800 pcs$0.42754
- Частка нумар:
- FESB16BT-E3/81
- Вытворца:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Падрабязнае апісанне:
- DIODE GEN PURP 100V 16A TO263AB. Rectifiers 100 Volt 16 Amp 35ns Single
- Manufacturer's standard lead time:
- У наяўнасці
- Тэрмін прыдатнасці:
- Адзін год
- Фішка ад:
- Ганконг
- RoHS:
- Спосаб аплаты:
-
- Адгрузка спосабам:
- Катэгорыі сям'і:
- KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - біпалярныя (BJT) - РФ, Транзістары - IGBT - Модулі, Транзістары - IGBT - масівы, Тырыстары - SCR - Модулі, Дыёды - выпрамнікі - масівы, Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, Тырыстары - SCR and Транзістары - біпалярныя (BJT) - аднамесныя, з пап ...
- Канкурэнтная перавага:
- Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Vishay Semiconductor Diodes Division FESB16BT-E3/81. FESB16BT-E3/81 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
FESB16BT-E3/81 Атрыбуты прадукту
Частка нумар :
FESB16BT-E3/81
Вытворца :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Апісанне :
DIODE GEN PURP 100V 16A TO263AB
Серыя :
-
Статус часткі :
Active
Дыёдны тып :
Standard
Напружанне - рэверс пастаяннага току (Vr) (макс.) :
100V
Ток - Сярэдняя выпраўленасць (Io) :
16A
Напруга - наперад (Vf) (макс.) @ Калі :
975mV @ 16A
Хуткасць :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Рэверсны час аднаўлення (TRR) :
35ns
Ток - Зваротная ўцечка @ Vr :
10µA @ 100V
Ёмістасць @ Vr, F :
175pF @ 4V, 1MHz
Тып мантажу :
Surface Mount
Пакет / футляр :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Пакет прылад пастаўшчыка :
TO-263AB
Працоўная тэмпература - развязка :
-65°C ~ 150°C
Апошнія навіны
Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
-
MMBD4148-TP
Micro Commercial Co
DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching 200mA 100V
-
SMBD914E6327HTSA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 100V 250MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching AF DIODE 100V 0.25A
-
CDBV1100-HF
Comchip Technology
DIODE SCHOTTKY 100V 1A SOD323. Schottky Diodes & Rectifiers SCHOTTKY 1A 100V HALOGEN-FREE
-
SD103AW-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 40V SOD123. Schottky Diodes & Rectifiers 350 mA 40 Volt
-
BAV20-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 150V 250MA DO35. Diodes - General Purpose, Power, Switching 200V If/250mA T/R
-
FESB16GTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 400V 16A TO263AB. Rectifiers 16 Amp 400 Volt 50ns 250 Amp IFSM
Гарачыя часткі
- CN646 BK
- IRD3CH53DB6
- VS-20MQ100NPBF
- 1N4002GPEHE3/91
- RS1PBHM3/85A
- VS-30WQ03FNPBF
- SK36/TR13
- CD214A-B130LLF
- VS-50WQ06FNPBF
- CDBA320L-G
- VS-80EPF12PBF
- 1N4551A
- C2D05120E
- RB520S-30FTE61
- MBRB735-E3/45
- VS-20ETF04STRRPBF
- 1N1616A
- APT15D30KG
- SDP06S60
- RGP20JHE3/73
- R6100625XXYZ
- R6100230XXYZ
- UG1002-T
- STTH5R06G
- MURA240T3
- VS-31DQ05TR
- NUR460/L02,112
- MUR1510H
- CTLSH1-50M832DS BK
- SF34-TP
- RL251M-TP
- R5000-TP
- FR1007-AP
- STPS30170DJF-TR
- ESH3C-E3/9AT
- RB053L-30TE25
- RU 1CV
- ES3B-E3/9AT
- IMBD4148-HE3-08
- LS4154GS18