Калі ваша месцазнаходжанне няма ў спісе, выберыце адно з наступных:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Калі ваша месцазнаходжанне няма ў спісе, выберыце адно з наступных:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Дадому
  2. Прадукты
  3. Інтэгральныя схемы (ІС)
  4. Памяць
  5. W949D2DBJX5E TR

Winbond Electronics - W949D2DBJX5E TR

KEY Part #: K941468

W949D2DBJX5E TR Цэнаўтварэнне (USD) [36941шт шт]

  • 1 pcs$2.33571
Частка нумар:
W949D2DBJX5E TR
Вытворца:
Winbond Electronics
Падрабязнае апісанне:
IC DRAM 512M PARALLEL 90VFBGA. DRAM 512M mDDR, x32, 200MHz T&R
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Аўдыё спецыяльнага прызначэння, Убудаваныя - мікракантролеры, Гадзіннік / тэрміны - Спецыфічнае прымяненне, Інтэрфейс - прамы лічбавы сінтэз (DDS), Лінейныя - аналагавыя множнікі, дзельнікі, Інтэрфейс - датчык, ёмісты сэнсарны, Памяць - кантролеры and PMIC - Кіраванне батарэямі ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Winbond Electronics W949D2DBJX5E TR. W949D2DBJX5E TR можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

W949D2DBJX5E TR Атрыбуты прадукту

Частка нумар : W949D2DBJX5E TR
Вытворца : Winbond Electronics
Апісанне : IC DRAM 512M PARALLEL 90VFBGA
Серыя : -
Статус часткі : Active
Тып памяці : Volatile
Фармат памяці : DRAM
Тэхналогіі : SDRAM - Mobile LPDDR
Памер памяці : 512Mb (16M x 32)
Тактовая частата : 200MHz
Час цыкла напісання - слова, старонка : 15ns
Час доступу : 5ns
Інтэрфейс памяці : Parallel
Напружанне - падача : 1.7V ~ 1.95V
Працоўная тэмпература : -25°C ~ 85°C (TC)
Тып мантажу : Surface Mount
Пакет / футляр : 90-TFBGA
Пакет прылад пастаўшчыка : 90-VFBGA (8x13)

Апошнія навіны

Winbond DRAM Product Portfolio
Winbond NOR Product Portfolio
Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • SST26VF032-80-5I-QAE

    Microchip Technology

    IC FLASH 32M SPI 80MHZ 8WSON.

  • 25AA1024T-I/SM

    Microchip Technology

    IC EEPROM 1M SPI 20MHZ 8SOIJ. EEPROM 128kx8 - 1.8V

  • 24LC1026T-E/SM

    Microchip Technology

    IC EEPROM 1M I2C 400KHZ 8SOIJ. EEPROM 1024K 128K X 8 2.5V SER EE 128 BYTE EXT

  • 25LC1024T-I/SM

    Microchip Technology

    IC EEPROM 1M SPI 20MHZ 8SOIJ. EEPROM 128K x 8 - 2.5-5.5V

  • 24LC1025T-E/SM

    Microchip Technology

    IC EEPROM 1M I2C 400KHZ 8SOIJ. EEPROM 1024K 128KX8 2.5V SER EE 128 BYTE PAGE

  • IS25LQ032B-JNLE

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

    IC FLASH 32M SPI 104MHZ 8SOIC. NOR Flash 32Mb QSPI, 8-pin SOP 150Mil, RoHS

Гарачыя часткі