Infineon Technologies - 6MS24017P43W39872NOSA1

KEY Part #: K6532482

6MS24017P43W39872NOSA1 Цэнаўтварэнне (USD) [2шт шт]

  • 1 pcs$9209.43152

Частка нумар:
6MS24017P43W39872NOSA1
Вытворца:
Infineon Technologies
Падрабязнае апісанне:
MODULE IGBT STACK A-MS3-1.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Дыёды - Зэнер - Адзінокі, Модулі драйвераў харчавання, Дыёды - Мастовыя выпрамнікі, Транзістары - БНТ, MOSFET - Масівы, Транзістары - біпалярныя (BJT) - аднамесныя, з пап, Транзістары - спецыяльнага прызначэння, Транзістары - IGBT - Модулі and Тырыстары - TRIAC ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Infineon Technologies 6MS24017P43W39872NOSA1. 6MS24017P43W39872NOSA1 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

6MS24017P43W39872NOSA1 Атрыбуты прадукту

Частка нумар : 6MS24017P43W39872NOSA1
Вытворца : Infineon Technologies
Апісанне : MODULE IGBT STACK A-MS3-1
Серыя : ModSTACK™ 3
Статус часткі : Active
Тып IGBT : -
Канфігурацыя : Three Phase Inverter
Напружанне - Разбіўка выпраменьвальніка (макс.) : 1700V
Ток - калекцыянер (Ic) (макс.) : 1100A
Магутнасць - Макс : 14500W
Vce (на) (Max) @ Vge, Ic : -
Ток - адключэнне калекцыі (макс.) : -
Ёмістасць уводу (Cies) @ Vce : -
Увод : Standard
NTC-цеплавізатар : Yes
Працоўная тэмпература : -25°C ~ 55°C
Тып мантажу : Chassis Mount
Пакет / футляр : Module
Пакет прылад пастаўшчыка : Module

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • GA100SICP12-227

    GeneSiC Semiconductor

    SIC CO-PACK SJT/RECT 100A 1.2KV.

  • VS-ENQ030L120S

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 1200V 61A 216W EMIPAK-1B. Rectifiers 30A Neutral Point Clamp Topology

  • VS-ETF150Y65N

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 650V 150A EMIPAK-2B.

  • CPV362M4F

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 8.8A IMS-2.

  • A2C35S12M3

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 35A ACEPACK2.

  • A2C25S12M3

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 25A ACEPACK2.