Infineon Technologies - IAUT200N08S5N023ATMA1

KEY Part #: K6417804

IAUT200N08S5N023ATMA1 Цэнаўтварэнне (USD) [42573шт шт]

  • 1 pcs$0.91844

Частка нумар:
IAUT200N08S5N023ATMA1
Вытворца:
Infineon Technologies
Падрабязнае апісанне:
80V 200A 2.3MOHM TOLL.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Дыёды - Зэнер - Масівы, Тырыстары - SCR, Дыёды - Зэнер - Адзінокі, Транзістары - біпалярныя (BJT) - аднамесныя, з пап, Транзістары - IGBT - Модулі, Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, загадзя п, Транзістары - IGBT - адзінкавыя and Транзістары - FET, MOSFET - адзінкавыя ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Infineon Technologies IAUT200N08S5N023ATMA1. IAUT200N08S5N023ATMA1 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IAUT200N08S5N023ATMA1 Атрыбуты прадукту

Частка нумар : IAUT200N08S5N023ATMA1
Вытворца : Infineon Technologies
Апісанне : 80V 200A 2.3MOHM TOLL
Серыя : OptiMOS™-5
Статус часткі : Active
Тып FET : N-Channel
Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 80V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 200A (Tc)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.3 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id : 3.8V @ 130µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 110nC @ 10V
Vgs (макс.) : ±20V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 7670pF @ 40V
Функцыя FET : -
Рассейванне магутнасці (макс.) : 200W (Tc)
Працоўная тэмпература : -55°C ~ 175°C (TJ)
Тып мантажу : Surface Mount
Пакет прылад пастаўшчыка : PG-HSOF-8-1
Пакет / футляр : 8-PowerSFN

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў