Калі ваша месцазнаходжанне няма ў спісе, выберыце адно з наступных:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Калі ваша месцазнаходжанне няма ў спісе, выберыце адно з наступных:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Дадому
  2. Прадукты
  3. Дыскрэтныя паўправадніковыя вырабы
  4. Дыёды - выпрамнікі - адзіночныя
  5. JANTXV1N5811US

Microsemi Corporation - JANTXV1N5811US

KEY Part #: K6432875

JANTXV1N5811US Цэнаўтварэнне (USD) [6394шт шт]

  • 1 pcs$7.73568
  • 108 pcs$7.69719
Частка нумар:
JANTXV1N5811US
Вытворца:
Microsemi Corporation
Падрабязнае апісанне:
DIODE GEN PURP 150V 3A B-MELF. ESD Suppressors / TVS Diodes D MET 6A SFST 150V HRV SM
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Дыёды - выпрамнікі - масівы, Модулі драйвераў харчавання, Тырыстары - SCR - Модулі, Транзістары - спецыяльнага прызначэння, Транзістары - IGBT - адзінкавыя, Транзістары - IGBT - масівы, Дыёды - выпрамнікі - адзіночныя and Транзістары - IGBT - Модулі ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Microsemi Corporation JANTXV1N5811US. JANTXV1N5811US можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

JANTXV1N5811US Атрыбуты прадукту

Частка нумар : JANTXV1N5811US
Вытворца : Microsemi Corporation
Апісанне : DIODE GEN PURP 150V 3A B-MELF
Серыя : Military, MIL-PRF-19500/477
Статус часткі : Active
Дыёдны тып : Standard
Напружанне - рэверс пастаяннага току (Vr) (макс.) : 150V
Ток - Сярэдняя выпраўленасць (Io) : 3A
Напруга - наперад (Vf) (макс.) @ Калі : 875mV @ 4A
Хуткасць : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Рэверсны час аднаўлення (TRR) : 30ns
Ток - Зваротная ўцечка @ Vr : 5µA @ 150V
Ёмістасць @ Vr, F : 60pF @ 10V, 1MHz
Тып мантажу : Surface Mount
Пакет / футляр : SQ-MELF, B
Пакет прылад пастаўшчыка : B, SQ-MELF
Працоўная тэмпература - развязка : -65°C ~ 175°C

Апошнія навіны

Microsemi Adaptec® HBA 1100 SAS/SATA Host Bus Adapters
Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • VS-30WQ10FNTR-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY DPAK. Schottky Diodes & Rectifiers Schottky - D-PAK-e3

  • VS-30WQ04FNTRLHM3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY DPAK. Schottky Diodes & Rectifiers Schottky - D-PAK-e3

  • VS-50WQ03FNTRL-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 30V 5.5A DPAK. Schottky Diodes & Rectifiers Schottky - D-PAK-e3

  • SS2FN6-M3/H

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 60V 2A DO219AB. Schottky Diodes & Rectifiers 60V Vrrm 2A IF(AV) SMF (DO-219AB)

  • SS2FL3HM3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 30V 2A DO-219AB. Schottky Diodes & Rectifiers If 2A Vrrm 30V AEC-Q101 Qualified

  • SS2FL3-M3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 30V 2A DO-219AB. Schottky Diodes & Rectifiers If 2A Vrrm 30V DO-219AB Ifsm 50A

Гарачыя часткі