SL02-GS08 Цэнаўтварэнне (USD) [809708шт шт]
- 1 pcs$0.04821
- 3,000 pcs$0.04797
- 6,000 pcs$0.04506
- 15,000 pcs$0.04215
- 30,000 pcs$0.03876
- Частка нумар:
- SL02-GS08
- Вытворца:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Падрабязнае апісанне:
- DIODE SCHOTTKY 20V 1.1A DO219AB. Schottky Diodes & Rectifiers 1.1 Amp 20 Volt
- Manufacturer's standard lead time:
- У наяўнасці
- Тэрмін прыдатнасці:
- Адзін год
- Фішка ад:
- Ганконг
- RoHS:
- Спосаб аплаты:
-
- Адгрузка спосабам:
- Катэгорыі сям'і:
- KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - FET, MOSFET - адзінкавыя, Транзістары - БНТ, MOSFET - Масівы, Транзістары - IGBT - адзінкавыя, Транзістары - біпалярныя (BJT) - адзінкавыя, Транзістары - біпалярныя (BJT) - РФ, Тырыстары - DIAC, SIDAC, Транзістары - IGBT - масівы and Дыёды - Зэнер - Масівы ...
- Канкурэнтная перавага:
- Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Vishay Semiconductor Diodes Division SL02-GS08. SL02-GS08 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
SL02-GS08 Атрыбуты прадукту
Частка нумар :
SL02-GS08
Вытворца :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Апісанне :
DIODE SCHOTTKY 20V 1.1A DO219AB
Серыя :
eSMP®
Статус часткі :
Active
Дыёдны тып :
Schottky
Напружанне - рэверс пастаяннага току (Vr) (макс.) :
20V
Ток - Сярэдняя выпраўленасць (Io) :
1.1A
Напруга - наперад (Vf) (макс.) @ Калі :
420mV @ 1.1A
Хуткасць :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Рэверсны час аднаўлення (TRR) :
10ns
Ток - Зваротная ўцечка @ Vr :
250µA @ 20V
Ёмістасць @ Vr, F :
-
Тып мантажу :
Surface Mount
Пакет / футляр :
DO-219AB
Пакет прылад пастаўшчыка :
DO-219AB (SMF)
Працоўная тэмпература - развязка :
125°C (Max)
Апошнія навіны
Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
-
BAS16-TP
Micro Commercial Co
DIODE GEN PURP 75V 300MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching 300mA 100V
-
-
BAS16E6327HTSA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching AF DIODE 85V 0.25A
-
-
CMDD6001 TR
Central Semiconductor Corp
DIODE GEN PURP 75V 250MA SOD323. Diodes - General Purpose, Power, Switching Ultra Low Leakage 71Vr 100Vrrm 250mA
-
VS-5EWH06FNTR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 5A DPAK. Rectifiers Hyperfast 5A 600V 18ns
Гарачыя часткі
- IDL10G65C5XUMA1
- IDK03G65C5XTMA1
- JANTXV1N1190R
- VS-150SQ030
- 1N6304R
- RGP10K-M3/54
- RK 14
- VS-80SQ030TR
- S4250TS
- CD1005-B0140R
- SUF15G-E3/54
- SS3P6-E3/85A
- CDBP0130R-G
- BY229B-400-E3/81
- FGP50D-E3/73
- S204100
- ES3A-E3/51T
- FFPF06UP20STU
- VS-90SQ035TR
- R2040
- 8ETH03
- 80EPS12
- 300HF40P
- S3G-13
- FR603-T
- HFA25PB60
- VS-95SQ015
- SF12M-TP
- CR3-060GPP BK
- APD245VRTR-G1
- MUR140-TP
- HER204-TP
- FR154-TP
- 1N4944-TP
- 1A4-AP
- GIB1404HE3/81
- CMR1U-02 BK
- RX 10ZV
- SE10PB-M3/85A
- SE07PD-M3/85A