Vishay Siliconix - SI4346DY-T1-GE3

KEY Part #: K6412819

SI4346DY-T1-GE3 Цэнаўтварэнне (USD) [13313шт шт]

  • 2,500 pcs$0.16445

Частка нумар:
SI4346DY-T1-GE3
Вытворца:
Vishay Siliconix
Падрабязнае апісанне:
MOSFET N-CH 30V 5.9A 8-SOIC.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - БНТ, МОФФЕТ - РФ, Дыёды - выпрамнікі - адзіночныя, Транзістары - IGBT - Модулі, Транзістары - JFET, Дыёды - Зэнер - Адзінокі, Дыёды - Мастовыя выпрамнікі, Транзістары - біпалярныя (BJT) - адзінкавыя and Транзістары - IGBT - масівы ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Vishay Siliconix SI4346DY-T1-GE3. SI4346DY-T1-GE3 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI4346DY-T1-GE3 Атрыбуты прадукту

Частка нумар : SI4346DY-T1-GE3
Вытворца : Vishay Siliconix
Апісанне : MOSFET N-CH 30V 5.9A 8-SOIC
Серыя : TrenchFET®
Статус часткі : Obsolete
Тып FET : N-Channel
Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 30V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 5.9A (Ta)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 2.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 23 mOhm @ 8A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id : 2V @ 250µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 10nC @ 4.5V
Vgs (макс.) : ±12V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : -
Функцыя FET : -
Рассейванне магутнасці (макс.) : 1.31W (Ta)
Працоўная тэмпература : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тып мантажу : Surface Mount
Пакет прылад пастаўшчыка : 8-SO
Пакет / футляр : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • IRF5804TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET P-CH 40V 2.5A 6-TSOP.

  • 2N7008

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 150MA TO-92.

  • BS108ZL1G

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 200V 0.25A TO-92.

  • NP20P04SLG-E1-AY

    Renesas Electronics America

    MOSFET P-CH 40V 20A TO-252.

  • NP52N055SUG-E1-AY

    Renesas Electronics America

    MOSFET N-CH 55V 52A TO-252.

  • IRFR120Z

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 100V 8.7A DPAK.