RS1JLHMQG Цэнаўтварэнне (USD) [2000457шт шт]
- 1 pcs$0.01849
- Частка нумар:
- RS1JLHMQG
- Вытворца:
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Падрабязнае апісанне:
- DIODE GEN PURP 600V 800MA SUBSMA.
- Manufacturer's standard lead time:
- У наяўнасці
- Тэрмін прыдатнасці:
- Адзін год
- Фішка ад:
- Ганконг
- RoHS:
- Спосаб аплаты:
-
- Адгрузка спосабам:
- Катэгорыі сям'і:
- KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - IGBT - Модулі, Транзістары - біпалярныя (BJT) - РФ, Транзістары - біпалярныя (BJT) - аднамесныя, з пап, Транзістары - БНТ, MOSFET - Масівы, Дыёды - выпрамнікі - масівы, Дыёды - Мастовыя выпрамнікі, Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы and Транзістары - праграмуемыя супярэчнікі ...
- Канкурэнтная перавага:
- Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Taiwan Semiconductor Corporation RS1JLHMQG. RS1JLHMQG можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
RS1JLHMQG Атрыбуты прадукту
Частка нумар :
RS1JLHMQG
Вытворца :
Taiwan Semiconductor Corporation
Апісанне :
DIODE GEN PURP 600V 800MA SUBSMA
Серыя :
Automotive, AEC-Q101
Статус часткі :
Active
Дыёдны тып :
Standard
Напружанне - рэверс пастаяннага току (Vr) (макс.) :
600V
Ток - Сярэдняя выпраўленасць (Io) :
800mA
Напруга - наперад (Vf) (макс.) @ Калі :
1.3V @ 800mA
Хуткасць :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Рэверсны час аднаўлення (TRR) :
250ns
Ток - Зваротная ўцечка @ Vr :
5µA @ 600V
Ёмістасць @ Vr, F :
10pF @ 4V, 1MHz
Тып мантажу :
Surface Mount
Пакет / футляр :
DO-219AB
Пакет прылад пастаўшчыка :
Sub SMA
Працоўная тэмпература - развязка :
-55°C ~ 150°C
Апошнія навіны
Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
-
MSC010SDA070K
Microsemi Corporation
DIODE SCHOTTKY 700V 10A TO220-3. Schottky Diodes & Rectifiers 700 V, 10 A SiC SBD
-
SCS208AJHRTLL
Rohm Semiconductor
DIODE SCHOTTKY 650V 8A TO263AB. Schottky Diodes & Rectifiers 650V 8A 13nC SiC SBD AEC-Q101 Qualified
-
-
-
-
VB20150SG-E3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 150V 20A TO263AB. Schottky Diodes & Rectifiers 20 Amp 150 Volt Single TrenchMOS
Гарачыя часткі
- CN646 BK
- IRD3CH53DB6
- VS-20MQ100NPBF
- 1N4002GPEHE3/91
- RS1PBHM3/85A
- VS-30WQ03FNPBF
- SK36/TR13
- CD214A-B130LLF
- VS-50WQ06FNPBF
- CDBA320L-G
- VS-80EPF12PBF
- 1N4551A
- C2D05120E
- RB520S-30FTE61
- MBRB735-E3/45
- VS-20ETF04STRRPBF
- 1N1616A
- APT15D30KG
- SDP06S60
- RGP20JHE3/73
- R6100625XXYZ
- R6100230XXYZ
- UG1002-T
- STTH5R06G
- MURA240T3
- VS-31DQ05TR
- NUR460/L02,112
- MUR1510H
- CTLSH1-50M832DS BK
- SF34-TP
- RL251M-TP
- R5000-TP
- FR1007-AP
- STPS30170DJF-TR
- ESH3C-E3/9AT
- RB053L-30TE25
- RU 1CV
- ES3B-E3/9AT
- IMBD4148-HE3-08
- LS4154GS18