BAV21,113 Цэнаўтварэнне (USD) [3434500шт шт]
- 1 pcs$0.01077
- 10,000 pcs$0.01005
- 30,000 pcs$0.00905
- 50,000 pcs$0.00804
- 100,000 pcs$0.00754
- 250,000 pcs$0.00670
- Частка нумар:
- BAV21,113
- Вытворца:
- Nexperia USA Inc.
- Падрабязнае апісанне:
- DIODE GEN PURP 200V 250MA ALF2. Diodes - General Purpose, Power, Switching DIODE SW TAPE AXIAL
- Manufacturer's standard lead time:
- У наяўнасці
- Тэрмін прыдатнасці:
- Адзін год
- Фішка ад:
- Ганконг
- RoHS:
- Спосаб аплаты:
-
- Адгрузка спосабам:
- Катэгорыі сям'і:
- KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Дыёды - выпрамнікі - масівы, Дыёды - Зэнер - Масівы, Транзістары - IGBT - адзінкавыя, Тырыстары - SCR, Транзістары - БНТ, МОФФЕТ - РФ, Транзістары - JFET, Тырыстары - SCR - Модулі and Тырыстары - DIAC, SIDAC ...
- Канкурэнтная перавага:
- Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Nexperia USA Inc. BAV21,113. BAV21,113 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
BAV21,113 Атрыбуты прадукту
Частка нумар :
BAV21,113
Вытворца :
Nexperia USA Inc.
Апісанне :
DIODE GEN PURP 200V 250MA ALF2
Серыя :
-
Статус часткі :
Active
Дыёдны тып :
Standard
Напружанне - рэверс пастаяннага току (Vr) (макс.) :
200V
Ток - Сярэдняя выпраўленасць (Io) :
250mA (DC)
Напруга - наперад (Vf) (макс.) @ Калі :
1.25V @ 200mA
Хуткасць :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Рэверсны час аднаўлення (TRR) :
50ns
Ток - Зваротная ўцечка @ Vr :
100nA @ 200V
Ёмістасць @ Vr, F :
5pF @ 0V, 1MHz
Тып мантажу :
Through Hole
Пакет / футляр :
DO-204AH, DO-35, Axial
Пакет прылад пастаўшчыка :
ALF2
Працоўная тэмпература - развязка :
175°C (Max)
Апошнія навіны
Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
-
SR10200-G
Comchip Technology
DIODE SCHOTTKY 200V 10A TO220-3. Schottky Diodes & Rectifiers VR=200V, IO=10A
-
SR10150-G
Comchip Technology
DIODE SCHOTTKY 150V 10A ITO220AB. Schottky Diodes & Rectifiers VR=150V, IO=10A
-
V10PM12-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 120V 3.9A TO277A. Schottky Diodes & Rectifiers 10A 120V Schottky TrenchMOS
-
SS5P6HM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 60V 5A TO277A. Schottky Diodes & Rectifiers 5A,60V,SM SKY RECT.
-
AS3PM-M3/86A
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE AVALANCHE 1KV 2.1A TO277. Rectifiers 3A 1000V
-
V8P12HM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 120V 8A TO277A. Schottky Diodes & Rectifiers 8A, 120V, SMPC, TRENCH SKY RECT.
Гарачыя часткі
- APT10SCE120B
- MBR3100VP-G1
- FR206TA
- CMR3U-04 BK
- CMR3U-01 BK
- VS-18TQ035SPBF
- BAY80-TAP
- SS3H10HE3_A/H
- VS-6TQ035STRRPBF
- BAS1602WH6327XTSA1
- APT20SCD120B
- MBRF750HE3/45
- STPS30SM60D
- S5JHE3/9AT
- 1N3743G R G
- SR304-T-F
- GPP60D-E3/54
- 20ETF12FP
- DGP30HE3/54
- S3520
- MX1H5615
- MA3X028TAL
- USD245
- D6025L
- RK 14V1
- STTH8L06DIRG
- 1N5293UR-1
- 1N4002RL
- 20ETF02STRR
- UF4007 TR
- BY329-1200,127
- S1G-F
- 1F1-TP
- UF5406-AP
- 1N649UR-1
- FESF16HTHE3/45
- FES8AT-E3/45
- RP 3FV4
- RFN5BM2SFHTL
- BAS283-GS18