Вытворца :
STMicroelectronics
Апісанне :
MOSFET N-CH 650V 7A POWERFLAT
Тэхналогіі :
MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) :
650V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C :
1.4A (Ta), 7A (Tc)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
600 mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id :
5V @ 250µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs :
15nC @ 10V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds :
690pF @ 100V
Рассейванне магутнасці (макс.) :
2.5W (Ta), 70W (Tc)
Працоўная тэмпература :
150°C (TJ)
Тып мантажу :
Surface Mount
Пакет прылад пастаўшчыка :
PowerFLAT™ (5x5)
Пакет / футляр :
14-PowerVQFN