Microsemi Corporation - JANTXV1N5614US

KEY Part #: K6441246

JANTXV1N5614US Цэнаўтварэнне (USD) [5990шт шт]

  • 1 pcs$8.22815
  • 106 pcs$7.78783

Частка нумар:
JANTXV1N5614US
Вытворца:
Microsemi Corporation
Падрабязнае апісанне:
DIODE GEN PURP 200V 1A D5A. Rectifiers Rectifier
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, Модулі драйвераў харчавання, Транзістары - біпалярныя (BJT) - аднамесныя, з пап, Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, загадзя п, Дыёды - Мастовыя выпрамнікі, Дыёды - Зэнер - Адзінокі, Транзістары - IGBT - Модулі and Транзістары - біпалярныя (BJT) - РФ ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Microsemi Corporation JANTXV1N5614US. JANTXV1N5614US можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

JANTXV1N5614US Атрыбуты прадукту

Частка нумар : JANTXV1N5614US
Вытворца : Microsemi Corporation
Апісанне : DIODE GEN PURP 200V 1A D5A
Серыя : Military, MIL-PRF-19500/427
Статус часткі : Active
Дыёдны тып : Standard
Напружанне - рэверс пастаяннага току (Vr) (макс.) : 200V
Ток - Сярэдняя выпраўленасць (Io) : 1A
Напруга - наперад (Vf) (макс.) @ Калі : 1.3V @ 3A
Хуткасць : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Рэверсны час аднаўлення (TRR) : 2µs
Ток - Зваротная ўцечка @ Vr : 500nA @ 200V
Ёмістасць @ Vr, F : -
Тып мантажу : Surface Mount
Пакет / футляр : SQ-MELF, A
Пакет прылад пастаўшчыка : D-5A
Працоўная тэмпература - развязка : -65°C ~ 200°C

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • VS-HFA04SD60S-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 4A TO252AA. Diodes - General Purpose, Power, Switching 4A 600V Ultrafast 17ns HEXFRED

  • VS-EPH3006LHN3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 30A TO247AD. Rectifiers 600V 30A FRED Pt TO-247 LL 2L

  • SFA808G C0G

    Taiwan Semiconductor Corporation

    DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC. Rectifiers 35ns8A 600V Sp Fst Recov Rectifier

  • FERD30SM100ST

    STMicroelectronics

    DIODE RECT 100V 30A TO220AB. Rectifiers Field Effect Rectifier

  • SICR6650

    SMC Diode Solutions

    DIODE SCHOTTKY SILICON CARBIDE S.

  • SICR10650

    SMC Diode Solutions

    DIODE SCHOTTKY SILICON CARBIDE S.