STMicroelectronics - STTH212S

KEY Part #: K6452417

STTH212S Цэнаўтварэнне (USD) [164019шт шт]

  • 1 pcs$0.22551
  • 2,500 pcs$0.18953
  • 5,000 pcs$0.18051

Частка нумар:
STTH212S
Вытворца:
STMicroelectronics
Падрабязнае апісанне:
DIODE GEN PURP 1.2KV 2A SMC. Rectifiers 850 VRMS High Voltage
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - FET, MOSFET - адзінкавыя, Дыёды - РФ, Дыёды - Мастовыя выпрамнікі, Транзістары - біпалярныя (BJT) - РФ, Транзістары - IGBT - Модулі, Дыёды - Зэнер - Масівы, Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, загадзя п and Тырыстары - DIAC, SIDAC ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах STMicroelectronics STTH212S. STTH212S можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

STTH212S Атрыбуты прадукту

Частка нумар : STTH212S
Вытворца : STMicroelectronics
Апісанне : DIODE GEN PURP 1.2KV 2A SMC
Серыя : -
Статус часткі : Active
Дыёдны тып : Standard
Напружанне - рэверс пастаяннага току (Vr) (макс.) : 1200V
Ток - Сярэдняя выпраўленасць (Io) : 2A
Напруга - наперад (Vf) (макс.) @ Калі : 1.75V @ 2A
Хуткасць : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Рэверсны час аднаўлення (TRR) : 75ns
Ток - Зваротная ўцечка @ Vr : 10µA @ 1200V
Ёмістасць @ Vr, F : -
Тып мантажу : Surface Mount
Пакет / футляр : DO-214AB, SMC
Пакет прылад пастаўшчыка : SMC
Працоўная тэмпература - развязка : 175°C (Max)

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • MBRD6100CT-TP

    Micro Commercial Co

    6A100VSCHOTTKYDPAK PACKAGE. Schottky Diodes & Rectifiers 6A SCHOTTKY RECTIFIER

  • MBRD560TR

    SMC Diode Solutions

    DIODE SCHOTTKY 60V 5A DPAK.

  • GL41M-E3/97

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AB. Rectifiers 1 Amp 1000 Volt 30 Amp IFSM

  • BYM10-800-E3/97

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 800V 1A DO213AB. Rectifiers 800 Volt 1.0 Amp Glass Passivated

  • BYM10-1000-E3/97

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AB. Rectifiers 1000 Volt 1.0 Amp Glass Passivated

  • BYM10-600-E3/97

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 1A DO213AB. Rectifiers 600 Volt 1.0 Amp Glass Passivated