MMBD7000-E3-18 Цэнаўтварэнне (USD) [2550352шт шт]
- 1 pcs$0.01450
- 10,000 pcs$0.00914
- Частка нумар:
- MMBD7000-E3-18
- Вытворца:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Падрабязнае апісанне:
- DIODE ARRAY GP 100V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching 100 Volt 200mA 4ns 500mA IFSM
- Manufacturer's standard lead time:
- У наяўнасці
- Тэрмін прыдатнасці:
- Адзін год
- Фішка ад:
- Ганконг
- RoHS:
- Спосаб аплаты:
-
- Адгрузка спосабам:
- Катэгорыі сям'і:
- KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Тырыстары - DIAC, SIDAC, Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, загадзя п, Транзістары - БНТ, MOSFET - Масівы, Тырыстары - SCR - Модулі, Тырыстары - SCR, Транзістары - JFET, Дыёды - Зэнер - Масівы and Транзістары - IGBT - адзінкавыя ...
- Канкурэнтная перавага:
- Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Vishay Semiconductor Diodes Division MMBD7000-E3-18. MMBD7000-E3-18 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
MMBD7000-E3-18 Атрыбуты прадукту
Частка нумар :
MMBD7000-E3-18
Вытворца :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Апісанне :
DIODE ARRAY GP 100V 200MA SOT23
Серыя :
Automotive, AEC-Q101
Статус часткі :
Active
Канфігурацыя дыёда :
1 Pair Series Connection
Дыёдны тып :
Standard
Напружанне - рэверс пастаяннага току (Vr) (макс.) :
100V
Ток - Сярэдняя выпраўленасць (Io) (на дыёд) :
200mA (DC)
Напруга - наперад (Vf) (макс.) @ Калі :
1.1V @ 100mA
Хуткасць :
Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Рэверсны час аднаўлення (TRR) :
4ns
Ток - Зваротная ўцечка @ Vr :
3µA @ 100V
Працоўная тэмпература - развязка :
150°C (Max)
Тып мантажу :
Surface Mount
Пакет / футляр :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Пакет прылад пастаўшчыка :
SOT-23
Апошнія навіны
Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
-
BAS28WH6327XTSA1
Infineon Technologies
DIODE ARRAY GP 80V 200MA SOT343. Diodes - General Purpose, Power, Switching AF DIGITAL TRANSISTOR
-
-
-
BAW156E6327HTSA1
Infineon Technologies
DIODE ARRAY GP 80V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode
-
-
SMBD7000E6327HTSA1
Infineon Technologies
DIODE ARRAY GP 100V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching AF DIODE 100V 0.2A
Гарачыя часткі
- F1827CAD1200
- 1SS399TE85LF
- VS-STPS30L30CGTRRP
- SS12P4CHM3/87A
- 25CTQ035STRR
- UG10DCT-5410HE3/45
- VBT6045CHM3/I
- MBR3040CTP
- MBR20H50CT-E3/45
- MBRTA60020R
- MBR60045CTRL
- VT1080CHM3/4W
- VS-MBR2090CTG-1PBF
- VI40150CHM3/4W
- CPT30050A
- FST16230D
- VS-6CWQ04FNTRLPBF
- VS-12CWQ04FNTRLPBF
- CPT300100
- STPS20M80CG-TR
- FEPF6CT-E3/45
- FEP6BTHE3/45
- UGB8HCT-E3/81
- MDA600-12N1
- DSEC29-02A
- SPB160100E3
- APT15D100BHBG
- BAV74LT3G
- FEP16JT
- 30CTH03
- MUR3040PT
- MURHB840CT
- MBRB20H100CT/45
- BAV170
- MBR2090CT-1
- MBRB2090CT
- 80CNQ045ASL
- MA3S795E0L
- RB205T-90
- BAV70SH6327XTSA1